晶体

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Science Advances:无掩膜光刻法制备纳米柔性TFT来源:先进光伏 发布时间:2025-09-22 14:30:12

考虑到移动或可穿戴系统对低压设备操作和超低功耗的严格要求,小截止状态漏电流和小亚阈值摆动至关重要。在玻璃基板上制造的n沟道ActivInkN1100TFT的传输和输出特性除p沟道TFT外,还使用PolyeraActivInkN1100作为半导体制造n沟道有机TFT。结论展望本文报道的纳米级TFT和反相器是使用电子束光刻技术制造的。虽然电子束光刻的主要缺点是其低吞吐量,但这并不排除使用电子束光刻在更大规模上制造有机TFT和电路的潜力。

NEBULAE:开发用于太阳能电池的环保钙钛矿纳米晶体项目来源:钙钛矿工厂 发布时间:2025-09-11 14:10:56

芬兰坦佩雷大学的研究人员启动了一个新项目NEBULAE,该项目由地平线欧洲玛丽·斯克沃多夫斯卡-居里行动博士后奖学金计划资助。NEBULAE的核心是无铅钙钛矿纳米晶体的创新应用。NEBULAE旨在通过将掺镱钙钛矿纳米晶体嵌入玻璃材料中来改变这一现状。因此,NEBULAE代表着朝着不仅实现清洁能源转型而且对环境负责的材料迈出了一步。NEBULAE的正式名称为“嵌入太阳能电池玻璃中的环保掺镱钙钛矿纳米晶体”,已获得欧盟委员会近200,000欧元的资助。

高性能无铅钙钛矿- IGZO结型场效应晶体管——Nature Communications来源:先进光伏 发布时间:2025-09-09 14:09:33

近日,韩国延世大学Kim等人提出一种简单、低温、可溶液加工且可扩展的策略,通过调整和利用Sn基钙钛矿的氧化现象来制造高性能增强型JFETs。该研究成果以题为“Revisitingtheroleofoxidationinstableandhigh-performancelead-freeperovskite-IGZOjunctionfield-effecttransistors”发表于NatureCommunications期刊。图文分析:钙钛矿b-JFET工作机理图1钙钛矿双极结型场效应晶体管的工作机制。实验细节通过低温溶液加工方法制备高性能增强型结型场效应晶体管。通过机械剥离去除Parylene-c层后,将PEASnI层暴露在60°C、约40%相对湿度的空气中进行120分钟的热处理,形成氧化表面层。

胍盐添加剂可以控制钙钛矿晶体的生长减少缺陷来源:钙钛矿材料和器件 发布时间:2025-09-01 17:02:45

伦敦大学学院、国立中兴大学、伦敦玛丽女王大学、华盛顿大学和伦敦南岸大学的研究人员发现,硫氰酸胍是一种离液剂(离散剂),可以减缓和控制钙钛矿晶体在制造过程中的形成方式,从而形成更光滑、更均匀的层。这有助于减少材料中可能影响性能并缩短太阳能电池寿命的缺陷。胍添加剂的使用使研究人员能够更好地控制晶体生长,限制材料形成过快时出现的缺陷。

成都理工大学陈雨&四川大学彭强最新Angew:定制低米勒折射率晶体刻面实现具有平坦晶界槽的钙钛矿太阳能电池来源:印刷钙钛矿光电器件 发布时间:2025-08-20 09:55:48

埋地界面的电荷传输和非辐射复合损耗是限制钙钛矿太阳能电池效率和稳定性的重要因素。这些特征促使沿着/晶面形成高质量的钙钛矿薄膜。有趣的是,这些取向的低米勒折射率晶面的异界面能量大约增加了两倍,晶界能量大约减少了两倍,使晶界沟变平,从而减少了纳米级物理空隙并释放了残余应力。晶界沟槽平坦化:AFM显示晶界角从151.6°增至172.4°,表面粗糙度降低64%,消除纳米级物理空隙并释放残余应力。

无锡市监局发布光伏组件产品质量抽查结果来源:卡片光伏 发布时间:2025-08-18 09:44:39

2025年度,无锡市场监督管理局对晶体硅光伏组件产品质量进行了监督抽查。共抽查产品5批次,未发现不合格。

美国对晶体硅光伏电池发起双反调查来源:中国电力报 发布时间:2025-08-13 09:32:00

据中国贸易救济信息网消息,8月7日应美国行业协会theAllianceforAmericanSolarManufacturingandTrade提交的申请,美国商务部宣布对进口自印度、印度尼西亚和老挝的晶体光伏电池(无论是否组装入模块)发起反倾销和反补贴调查。

美国对印度、印尼和老挝晶体硅光伏电池发起双反调查来源:中国贸易救济信息网 发布时间:2025-08-12 16:08:52

当地时间8月7日,美国商务部宣布,应美国行业协会the Alliance for American Solar Manufacturing and Trade提交的申请,将对进口自印度、印度尼西亚和老挝的晶体硅光伏电池(无论是否组装入模块)(Crystalline Silicon Photovoltaic Cells, whether or not assembled into modules)发起反倾销和反补贴调查。本案主要涉及美国海关编码8541.42.0010和8541.43.0010项下产品。

双反调查再起!美国对晶体硅光伏产品发起第二次双反日落复审调查来源:索比光伏网 发布时间:2025-08-06 16:48:08

利益相关方应于本公告发布之日起10日内向美国商务部进行应诉登记。2020年1月2日,美国商务部对进口自中国的晶体硅光伏产品发起第一次反倾销和反补贴日落复审调查,对进口自中国台湾地区的晶体硅光伏产品发起第一次反倾销日落复审调查。

最新:美国对涉华光伏产品发起第二次双反日落复审调查来源:PV光圈见闻 发布时间:2025-08-06 11:39:19

8月1日,美国商务部发布公告,对进口自中国的晶体硅光伏产品发起第二次反倾销和反补贴日落复审调查。与此同时,美国国际贸易委员会对上述涉案产品发起第二次反倾销和反补贴日落复审产业损害调查,审查若取消现行反倾销和反补贴措施,在合理可预见期间内,涉案产品的进口对美国国内产业构成的实质性损害是否将继续或再度发生。利益相关方应于本公告发布之日起10日内向美国商务部进行应诉登记。