晶体生长
晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用。 研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI论文680
以上的切片产能，目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方，中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉，并加快晶体生长速度，可以增加30%以上铸锭产能，并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。
产能，目前已有富余能力承接切片代工。做为战略合作方，中环股份在此轮增资到30亿的四期硅片扩产项目已无需购置新的切片设备。保利协鑫明年将全面升级G8铸锭炉，并加快晶体生长速度，可以增加30%以上铸锭产能，并通过热场改造优化晶体结构进一步提升效率。
掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用。 研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。发表SCI
广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米
，随着行业市场对光伏高效产品的追逐，基于高品质单晶硅材料的高效电池发展路径日渐清晰，单晶产品市场占有率大幅度提升已是必然趋势。环欧国际的母公司中环股份依托晶体生长技术优势，一方面通过扩产满足客户对
太阳能光伏产业多晶硅片大多来源于定向凝固多晶铸锭方法。定向凝固多晶硅锭中心区硅棒底部常出现阴影区域，对多晶硅锭的品质及铸锭得料率有一定的影响。经实验研究分析，中心硅锭底部出现阴影的原因是在晶体生长
初期，打开隔热笼，边角长晶速度相对比中心长晶速度快，固液界面呈凹状，熔体中杂质在硅锭中心底部沉积，造成硅锭红外探伤图上出现阴影。通过多晶铸锭炉热场结构的改进及工艺的优化，使得晶体生长初期边角长晶速度变慢
晶晶体生长炉，整体技术已处于国际领先水平。
据了解，今后国内拉晶晶体生产企业，采用全自动连续拉晶晶体生长炉，不但有着原材料易取优势，更在生产能耗方面有着独特优势，按照目前全国太阳能单晶硅的产量为20
万吨来计算，每年可以节约用电30亿度以上。
用袁玉平的话来说，全自动连续拉晶晶体生长炉实现量产后，将会快速淘汰现有拉晶晶体生产设备，也将助推全球太阳能光伏产业的新发展。
光伏行业同样离不开金融的
光伏材料四期项目产能比项目可研提高产能25%以上；直拉单晶生长技术和产业化技术可使晶体生长制造系统综合效率提升15%以上，同时对后道太阳能电池效率上升和降低效率衰减有显著正向作用。预计新能源光伏材料四期
十分重要的地位，具有很强的竞争优势和影响力，对保持公司在高端晶体生长设备领域的市场占有率及在国内外技术领先地位具有重要意义。光伏宝2017上半年实现营收5.8千万 同增73%8月15日，世富光伏宝（上海
