太阳能产业链最上游的多晶硅铸锭、拉棒和切片,面临挑战,该公司投资4000万,引进的15台组铸锭炉,使单炉单次产品量从550公斤增至830公斤,大幅拉低了产品成本。 降本增量的同时,更重要的是提质。目前,该集
太阳能产业链最上游的多晶硅铸锭、拉棒和切片,面临挑战,该公司投资4000万,引进的15台组铸锭炉,使单炉单次产品量从550公斤增至830公斤,大幅拉低了产品成本。降本增量的同时,更重要的是提质。目前,该集
LID光衰情况。
减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法,A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓,避免硼氧复合的出现
在高温时与硅溶液反应,生成SiO2,这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5,影响电池片的输出功率,最终增加了单晶硅电池的LID光衰
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓,避免硼氧复合的出现。 4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素,重点分析了
使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5,影响电池片的输出功率,最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长,主要工艺步骤
原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚,石英坩埚在高温时与硅溶液反应,生成SiO2,这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升,从而增加了硼-氧对的数量,硼氧对在经过光照处理时会形成少子
损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法,A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺,减少氧含量的引入,提高
:公司加强成本管控,全面推行金刚线切割工艺、PERC技术等行业先进技术的产业化应用,2015年全年硅片产品非硅成本同比降低20.78%,通过推动拉晶和切片成本的快速下降,硅片毛利率由2014年的17.49
高效单晶PERC电池项目和2GW组件项目以及银川隆基1.2GW单晶硅棒项目以外,西安1.15GW单晶切片项目和无锡850MW单晶切片项目将陆续达产,同时公司在马来西亚、印度的扩产项目也将加快进度。预计到
电站长期衰减比多晶硅低至少3%以上,单晶硅电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述,单多晶材料性能对比,单晶VS多晶,行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与
多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成,单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前,多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右,已逐步接近规模与成本兼顾的临界值
有绝对优势。 二、铸锭与拉晶成本对比 单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成,单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前,多晶铸锭主流炉型G6的
单晶硅片产能400兆瓦,主要生产N型硅片,转化效率可达到24%,处于行业绝对领先地位,据客户反馈使用公司超级单晶的高效电池片转换率可超过25%。公司主营业务是单晶硅的拉棒和切片,2015年上半年的单晶硅片
单晶硅片产能400兆瓦,主要生产N型硅片,转化效率可达到24%,处于行业绝对领先地位,据客户反馈使用公司超级单晶的高效电池片转换率可超过25%。公司主营业务是单晶硅的拉棒和切片,2015年上半年的单晶硅片