异质结硅太阳能电池

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19家企业宣布终止、延期光伏项目!来源:索比光伏网 发布时间:2025-05-06 07:17:47

电站投资商因政策、消纳、电价等因素终止光伏电站建设。4月28日,回天新材终止投资建设回天新能源新材料技术产业园项目。该项目拟在合肥市肥东县投资建设年产10万吨新能源新材料,包括年产6万吨太阳能光伏硅胶和年产
也宣布终止“年产4,000万平方米超薄光伏背板玻璃深加工项目”,将该项目暂未投入使用的募集资金余额3,746.29万元投入新增募投项目“年产1.2亿平方米光伏新材料产品(太阳能装备用铝硅酸盐玻璃

晋能光伏申请管式PECVD制备异质结电池专利,提升异质结电池的光电转换效率来源:金融界 发布时间:2025-04-07 15:13:41

,本发明涉及一种管式PECVD制备异质结电池的方法及异质结电池,属于太阳能电池技术领域。包括:使用管式PECVD在晶硅衬底正面和背面沉积本征非晶硅层;使用管式PECVD对正面本征非晶硅层进行修复,并在

25.28%、25.46%!通威TNC、THC高效组件效率双双破纪录!来源:光伏网整理 发布时间:2025-03-21 14:17:40

领先。据Infolink Consulting统计数据,PECVD解决方案目前在852GW的太阳能电池产能中占据了56%的市场份额。2023年,PECVD技术登上了年度及月度光伏知名科学
期刊《Progress in Photovoltaics》(PIP)封面文章;2024年,通威自主研发的“高效N型TOPCon太阳能电池”荣获“四川省重大技术装备首台套产品”认定,实现了太阳能电池

32.99%!琏升光伏钙钛矿叠层电池效率新突破!来源:钙钛矿工厂 发布时间:2025-03-20 14:16:49

电荷复合,从而显著提升电池的开路电压和填充因子,为电池性能的优化提供了有力支持。此次钙钛矿/晶异质结叠层太阳能电池效率突破32.99%,标志着琏升光伏在技术研发上取得了重要进展,为未来的大规模产业化

超82GW!中核、国能、国家电投、华电、中国电建、大唐、华能、三峡等光伏重点项目清单发布来源:索比光伏网 发布时间:2025-03-03 08:32:31

、新开工10个。涉及主产业链的项目分别有成都市双流区通威高效晶太阳能电池智能生产研发基地项目、新能源高效异质结电池片项目、福建钜能高效异质结电池片、德昌县年产3GW(十亿瓦)光伏切片、3GW(十亿瓦

涅槃新程:苏州爱康金属复工复产,奏响奋进最强音来源:索比光伏网 发布时间:2025-02-21 21:00:17

、太阳能组件铝边框、光伏支架系统等,是国内首家光伏配件上市企业。自成立以来,爱康科技致力于光伏行业的降本增效,在异质结(HJT)电池技术、微晶技术、无主栅(0BB)技术、硅片薄片化技术等多个技术领域均有深厚的
董事长邹承慧先生对索比光伏网表示,目前公司状况触底向好,管理层正在积极推动重组工作。作为老牌光伏企业,爱康科技成立于2006年,并于2011年在深交所挂牌上市,主营业务包括高效太阳能电池及组件

30.99%!东方日升按下光伏提效 “加速键”来源:东方日升新能源 发布时间:2025-02-18 10:16:00

自获得国家重点研发计划立项批复后,东方日升全球光伏研究院(以下简称“研究院”)积极推动HJT+技术的创新发展。2月16日,经国家太阳能光伏产品质量检验检测中心权威认证,研究院研发的钙钛矿/晶异质结
里程碑。在未来的技术发展和迭代方向上,异质结电池凭借其独特的结构优势,被视为单p/n结电池技术中的终极选择,尤其在晶硅+钙钛矿叠层电池领域,这种优势更为显著。异质结电池的结构天然适合作为叠层电池的底

光伏30个!四川2025年重点项目名单公布!来源:索比光伏网 发布时间:2025-02-17 08:10:34

双流区通威高效晶太阳能电池智能生产研发基地项目、乐山晶硅光伏产业项目、福建钜能高效异质结电池片等制造业项目,以及甘孜白玉达伊柯光伏发电项目、甘孜巴塘中咱光伏发电项目等8个光伏电站项目。详情如下:新开工

嘉兴阿特斯申请异质结太阳能电池专利,降低串联电阻提高电池转换效率来源:金融界 发布时间:2025-02-05 14:06:23

,本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池及其制备方法和光伏组件。所述异质结太阳能电池包括:硅衬底;所述硅衬底一侧表面上叠层设置有第一透明导电层和第一电极,所述硅衬底另一侧表面上叠层设置有第二透明导电

福建金石能源申请硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件专利,降低设备成本来源:金融界 发布时间:2025-01-27 11:14:20

12月。专利摘要显示,本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种硅基背接触异质结太阳电池及其制备方法、电池组件,该硅基背接触异质结太阳电池通过在非晶硅钝化层增加一层超薄掺氧型非晶硅,从而避免沉积非晶硅