异质结电池产业

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结
晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标，因此

、加拿大标准协会(CSA)提供技术支持的第五届异质结电池与装备产业化发展论坛在苏州吴宫泛太平洋酒店圆满落幕。为鼓励推动异质结电池产业化发展做出卓越贡献的优秀企业，大会颁发了2020年度异质结电池单晶硅片

6月3日，阜新国家高新技术产业开发区管委会与山东高登赛能源集团签订项目合作协议，双方将携手共建1GW高效异质结太阳电池产业基地项目。据悉，该项目由山东水发集团和山东高登赛能源集团有限公司共同投资
兴建，计划总投资15亿元，项目建成后预计年均实现销售收入26亿元，利税突破4亿元。 高登赛1GW高效异质结太阳电池项目，采用国际最先进的清洗制绒机、PECVD非晶硅镀膜机、PVD沉积导电膜机和电极印刷机

作为切入点，进一步洞悉 异质结电池产业化的发展规律。 以 PERC 电池发展经验为本，予异质结电池设备投资以启示 (一)试验产能规模有限，规模化量产尚需过渡时间 参考 PERC 电池的量产进程
片异质结电池下线，转换效率达到 23%。虽然国内异质结电池产业化已经取得了 阶段性进展，实现小批量生产，但规模量产仍需要一定时间。其中，一方面，除了参考 PERC 电 池的历史经验外，另一方面，从产业链的

PVD 制备的ITO薄膜。RPD 制备下的异质结电池总体比PVD约有0.5~1%的效率优势。松下公司采用的就是RPD工艺。住友重工持有RPD设备与IWO靶材两项专利技术，限制了该技术的发展。国内
来看，PVD可能使用较为广泛。 光伏平价上网带来光伏行业新一轮向上周期，平价上网要求行业降本增效，光伏电池设备在促进技术进步发挥中坚力量。PERC电池新建产能有望持续维持高位，国产化设备企业有望获得大量订单。HJT电池产业化加快，国产设备逐步布局，HJT电池将为设备提供翻倍以上的设备市场空间。

其他金属丰富，虽然目前还不至于成为太阳电池产业发展的瓶颈，但寻找更低廉、性能更优异的金属化手段也是太阳电池的一大研究热点。 IBC电池的核心技术之一是其背面电极的设计，因为它不仅影响电池性能，还直接
使电池效率进一步提升。在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是利用非晶硅优越的表面钝化性能，并结合IBC结构没有金属遮挡的结构优点，采用相同的器件

%。 设备国产化加速推进：目前制约异质结电池产业化规模的主要原因之一是核心工艺设备板式 PECVD 无法兼备大产能、高良率、低价格三要素。针对这一问题，国内设备厂商近年来已进行了多方面的深入研发，且已
近期 HJT 电池国内外产业化进展佳音不断。REC 生产的 Alpha 系列组件可实现组件效率 21.7%，同时计划在法国投建 2GW 异质结组件制造产能。俄罗斯厂商 Hevel 在 M2+尺寸

%。 设备国产化加速推进：目前制约异质结电池产业化规模的主要原因之一是核心工艺设备板式 PECVD 无法兼备大产能、高良率、低价格三要素。针对这一问题，国内设备厂商近年来已进行了多方面的深入研发，且已
近期 HJT 电池国内外产业化进展佳音不断。REC 生产的 Alpha 系列组件可实现组件效率 21.7%，同时计划在法国投建 2GW 异质结组件制造产能。俄罗斯厂商 Hevel 在 M2+尺寸

。电池片环节技术升级百 花齐放，PERC+延展 PERC 生命力，N 型电池产业化前景可期，建议积极关注 N 型技术后续产业化进展。未来电池厂商所掌握的高效先进产能规模将决定其 在光伏平价时代的竞争力
和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面