干法黑硅
、干法黑硅(RIE)及湿法黑硅(MCCE)等，由于RIE和MCCE成本及工艺等原因，目前大多数企业以金刚线直接添加剂法制备金刚线切割多晶硅片的减反射绒面，当然由于添加剂法制备的电池转换效率低等因素，决定其
是分三方面：第一个方面我想简单汇报和交流一下协鑫集成在多晶高效电池这块，也就是黑硅叠加PERC这块，在过去23年所取得的一些进展。
首先我们可以看到是黑硅技术俗称的干法也好、湿法也好，目前
。
可以看到湿法多晶的效率是完全没有叠加产线提效技术，所以根据量产设备实际情况，湿法黑硅做到20.6%和20.4%。如果叠加像干法提效技术的话，一般湿法的效率比干法低0.2%左右，所以我们湿法黑法
等人用飞秒激光脉冲在SF6和Cl2气体环境下反复照射硅片表面时，产生一种圆锥形的尖峰状阵列结构。当用肉眼观察时，具有这种结构的硅片呈现黑色,故叫黑硅。 主流黑硅技术有两种：干法制绒的离子反应法(干法
组件的主档位功率输出大于285W，干法黑硅组件的主档位功率输出大于290W，完全满足最新领跑者标准。后续通过电池效率的进一步提升以及组件新工艺匹配，在电池及组件端都可以达到超级领跑者项目的最高
多晶黑硅PERC电池量产产能已突破1GW，预计年底产能将达2GW，目前量产效率已突破20.5%，提前实现了2017年产业化效率目标，在晶硅电池研发及产业化领域保持全球领先水平。
据了解，协鑫已有效解决
20.1%，而在加入俗称“干法”的离子反应法（RIE）黑硅蚀刻工艺后，效率进一步提升到了20.6%。协鑫集成表示，为搭配金刚线切与黑硅技术，公司深入比较并研究添加剂、MACE（俗称“湿法”）以及RIE三种
退火也可以抑制多晶PERC光衰。 黑硅的湿法刻蚀解决方案 在多晶黑硅+PERC电池技术上，目前主要有直接制绒、湿法黑硅(MACE)与干法黑硅三种方案。与目前的工业水平相比较，湿法黑硅方案具有较强的
，其中黑硅技术包括干法黑硅和湿法黑硅两种。不同技术路线对比如下表所示。 干法黑硅技术及最新进展 干法黑硅技术工艺稳定成熟，绒面结构均匀，效率提升最高，但需要新增成本较高的设备和工序。受限于设备
0.6-0.8 元，单晶与多晶硅价差一度下降至 0.6 元左右的性价比阈值。多晶在解决了新型制绒技术如干法黑硅技术、湿法黑硅技术等等问题后，金刚线切割多晶影响电池效率的主要障碍得到了解决，同样能大幅
优化，为更高效率需求提供选择。基于保利协鑫金刚线切硅片，叠加RIE干法黑硅和PERC技术，协鑫量产的MBB电池转换效率已超过20.8%，组件CTM大于98%。60片组件中，295W以上的比例超过95
表面质量方面，提升方法主要有：控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。
沿着这些路径，保利协鑫进行了多种高效产品的研发，并提供定制化产品解决方案以满足市场需求
，功率增加可以提升至5W，按照目前组件价格计算，每瓦黑硅组件有0.03元/瓦增益，而成本只上升0.02元/瓦左右，金刚线切割多晶硅片搭配黑硅经济性凸显。 干法黑硅与湿法黑硅技术对比 资料来源：公开
