导电薄膜

技术开发难点，同时分析HJT浆料的技术发展趋势： 一、HJT低温银浆发展现。 1、HJT电池对银浆的特殊要求 HJT电池是在晶硅基片使用薄膜技术制作PN节、减反射层和导电层的新型电池工艺技术，其
高效晶硅电池基本持平，主要技术难点是低温银浆的导电性能较低，且浆料产品占电池制造的非硅产品部分超过50%。因此，HJT银浆的突破对电池的产业化至关重要。因HJT银浆的高导电性、高焊接拉力、快速印刷等

Heterojunctionwith Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为HJT或SHJ(Silicon
示意图 资料来源：OFweek行业研究中心 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。 图表2

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
系统(从TEL太阳能KAI-MT PECVD反应器))进行现代化改造，并使之成为一条新的SHJ产线。Hevel是在2017年4月份使用由其公司内部薄膜技术研发中心(TFTEHevel一个研发部门)开发

形成钙钛矿薄膜。然而，用于旋涂方法的极性非质子溶剂溶液仅适用于超过1010 cm的大面积涂层，这意味着需要为没有向心力的大面积涂层开发新的涂层溶液。 长期稳定性的研究。虽然最近的报告包括稳定性测试
。 回收技术。为避免铅浪费，回收技术是十分重要的。可以对废弃的钙钛矿太阳能组件进行化学处理以溶解钙钛矿，需要开发有效的收集铅的方法，特别是收集铅I2、导电衬底和金属电极，实现完全可循环利用。 基于钙钛矿的

异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO

、覆膜设备/沉积炉、丝网印刷 机、其他炉设备、测试仪和分选机、其他相关设备 电池板/组件生产设备： 全套生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等 薄膜电池板生产设备： 非晶硅
电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法设备、过程检测等

，微电网以及可再生能源由可再生能源组成微电网为了达成政策目标的主要环节。 王晓晨，能源战略与规划研究所研究员,国网能源研究院 用户侧核心模式是需求侧响应，但是峰谷差套利就是目前国家电网一直倡导电价不停
2009年进入太阳能，当时在广东河源，四川的成都双流两个基地，同时开始，当年主要是硅基薄膜，最早进入的是晶硅基薄膜的领域。后面逐渐加入设备，2016年，在内部叫第五大技术路线，前五大主要是收购的，美国

输出功率为初始功率的92%，光衰指标比较好。 2.HJT降本的理论空间较大，具体进展需要再跟踪：HJT电池生产只有四步，清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结
，制备过程只有清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结等步骤(较现行路线少了3-4个步骤)，未来HJT生产也将更智能化，长期降本可能主要集中在耗材、设备上。 REC目前

。 工艺：核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用PECVD或RPD沉积本征