密栅组件

年全片组件市场占比约为 77.1%，较 2018 年下降了 14.6 个百分点。 多主栅结合半片技术有望成为高功率组件主流趋势：多主栅技术的栅线分布更密，抗隐裂能力也更强，能够降低遮

其中也蕴含了亿晶光电对组件隐裂问题的思考。相对于半片，多主栅组件由于栅线分布更密，抗隐裂能力也更强。而当被问及新建产能为何不兼容叠瓦组件时，亿晶光电表示，叠瓦电池组件有利有弊：一方面，它可以一定程度上降低隐裂对组件功率的影响;另一方面，叠瓦电池组件层压前的隐裂电池返修难度远高于常规组件。

时，亿晶光电表示，届时可生产出涵盖双面、双玻、半片、多主栅、大尺寸硅片等技术的组件产品。 这其中也蕴含了亿晶光电对组件隐裂问题的思考。相对于半片，多主栅组件由于栅线分布更密，抗隐裂能力也更强。而当被

电池项目，2.5GW高效单晶组件项目，收购内蒙古华耀光电年产 3GW 单晶硅棒硅片项目。新建组件产能针对大尺寸密栅电池，兼容双玻组件。 今日，亿晶光电再次冲击涨停，一步之遥。 同样延续昨日光伏强势，在

了扩产计划快速推进210的产业化。面对210硅片的超大尺寸可能导致的组件高电压、高电流，大组件尺寸，热斑及隐裂等潜在风险，天合光能推出了匠心独具的三分片+多主栅+小间距的解决方案。该方案完美地平衡了

钎焊温度冲击，焊接拉力应大于1N/mm ⑤在长期光照条件下，保持电极体电阻的稳定，并保证与组件封装材料间的化学稳定性。 基于以上技术要求，目前HJT行业均采用树脂固化型的低温银浆制作电池的正
导电性低温银浆。目前其Finger细栅产品的体电阻率已低于6*10-6cm，并将在1年内通过引入低温烧结银粉技术，将电极体电阻率降至4-5*10-6cm;细栅产品可印刷35-40um线宽的Finger

至7.5GW，涵盖5GW高效PERC电池、1GW双玻双面半片组件、500MW密栅常规组件、500MW切片产能以及500MW拉晶铸锭。按照规划，2023年底，潞安太阳能将实现18GW高效电池、9GW高效组件

，天合光能从MBB等主流技术到IBC超高效电池技术，在技术布局上秉持了一贯的领先原则。 MBB多主栅：领先半步没想象中那么容易 在领跑者项目的有力推动下，高效技术迎来飞速发展的时代。在各种组件技术中，多主
栅技术既能降低银浆耗量从而实现降本，又能增加电池受光面积实现增效，加之栅线分布更密而拥有更强的抗隐裂能力，这一系列的优势使之站上产业化发展的风口。 然而实际上，虽然多主栅技术作为主流高效技术已经成为

半片可提高4个档位，出现1+1=4效果。 多主栅组件除了高功率之外，还有着很多5BB不具备的优势。天合研究显示，由于栅线分布更密，多主栅组件的抗隐裂能力也更强。通过标准5400Pa的机械载荷测试，隐裂

功率：从光学角度讲，由于圆形焊带的遮光面积更少，使电池受光面积更大从而提升功率;从电学角度讲，由于电流传导路径缩短减少了内部损耗从而提升功率。 高可靠：由于栅线分布更密，多主栅组件的抗隐裂能力也更强