安森美

，安森美半导体还开发了一系列两通道或三通道的SiC升压模块，用于太阳能逆变器。 SiC功率器件具有比硅器件更胜一筹的性能，包括它们能够高速切换高压和电流，损耗低，热性能好。尽管目前它们可能比等效硅

，为高比例可再生能源应用打下坚实的基础。 支路最大电流20A，完美适配大尺寸组件 王跃林透露，经过充分的技术论证和筛选，该款逆变器采用美国安森美半导体的IGBT器件，结合双boost三电平

集成电路材料。其中 IGBT 元器件主要生产厂商为德国英飞凌公司(Infineon)和美国安森美半导体公司(ON Semiconductor),IC 半导体主要生产厂商为美国德州仪器公司(TI)、意大利意

，德国)、安森美(On Semiconductor，美国)、意法半导体(STMicroelectronics，意法)、三菱(Mitsubishi，日本)和东芝(Toshiba，日本)。其中英飞凌独占
38.5%的销售额，比排名第二至第四的总和还要高出约7个百分点，彰显了英飞凌在此领域的绝对控制权。 标准IGBT模块领域的前五强占据全球此领域约77%的市场份额，它们分别是英飞凌、三菱、安森美、东芝

(Infineon，德国)、安森美(On Semiconductor，美国)、意法半导体(STMicroelectronics，意法)、三菱(Mitsubishi，日本)和东芝(Toshiba，日本)。其中
是英飞凌、三菱、安森美、东芝和意法半导体。除排名第一的仍然是英飞凌外，排名第二至第四的厂商虽然与分立器件相同，但名次却完全不同。在模块领域三菱的表现更为显眼，排名第二。在标准模块领域英飞凌的市场份约是33.9%，仅比第二名高出约7个百分点，在此领域的控制权远远弱于IGBT分立器件。

2018年7月2日，筹备已久的固德威与安森美联合实验室迎来了隆重揭牌仪式。固德威总经理黄敏、副总经理方刚，安森美亚太区总裁David Chow、中国区销售副总裁Roy Chia、文晔副总经理
Jerry Chang等领导共同出席了揭牌仪式。此次强强联合旨在为光伏逆变器技术创新搭建一个有效沟通合作的平台，借助此平台双方资源整合、优势互补，共同推动光伏逆变器前沿技术的突破和应用。 安森美

6月26日下午，为促进IGBT在光伏逆变器中的完美应用，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体举行古瑞瓦特新能源及安森美半导体联合实验室揭牌仪式。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材、安森美
，双方就光伏市场变化、技术创新、合作方向进行了深度交流。安森美亚太区总裁David Chow介绍了安森美半导体技术实力，表示未来会加大与古瑞瓦特的技术合作。古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示

近日，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体达成深度战略合作协议，双方携手成立联合实验室，共同推进IGBT在逆变器领域的技术创新与应用。 作为全球领先的逆变器品牌，古瑞瓦特
模块、电容等，均使用国际一线品牌，此次与安森美半导体的深度合作就是针对IGBT等核心部件的供应与创新，古瑞瓦特全系列产品均采用了由安森美提供的优质IGBT、控制IC、功率二极管等元器件。安森美半导体