近日，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体达成深度战略合作协议，双方携手成立联合实验室，共同推进IGBT在逆变器领域的技术创新与应用。
作为全球领先的逆变器品牌，古瑞瓦特为全球提供多元化的高品质产品和服务。逆变器内部，凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等对品质要求极高，以确保逆变器能够长期稳定工作。古瑞瓦特始终坚守严控内核品质，逆变器的核心元器件如IGBT单管或模块、电容等，均使用国际一线品牌，此次与安森美半导体的深度合作就是针对IGBT等核心部件的供应与创新，古瑞瓦特全系列产品均采用了由安森美提供的优质IGBT、控制IC、功率二极管等元器件。安森美半导体(ON Semiconductor半导体公司是世界最大模拟IC、逻辑IC和分立半导体元件供应商之一,美国纳斯达克上市)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。
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联合实验室与奖杯
为了优化IGBT在逆变器应用端的表现，推进IGBT的技术创新，古瑞瓦特与安森美半导体携手成立“古瑞瓦特新能源及安森美半导体联合实验室”。联合实验室位于古瑞瓦特的研发中心，安森美半导体提供各项设备并对古瑞瓦特研发团队进行深入培训技术交流，在实验室中即可对IGBT在逆变器中的使用进行提前预演，从热仿真、损耗测试、电压、电流、温度等多方面进行严格测试，保障IGBT的品质以及与逆变器的适配性。
安森美技术培训与IGBT测试
古瑞瓦特总裁丁永强表示，古瑞瓦特始终坚持追求卓越品质，秉持以客户为中心、以质量为底线的管理理念。实验室成立后，古瑞瓦特和安森美半导体将建立更为紧密、长期的战略合作关系，双方将携手打造更高品质的产品，我们相信古瑞瓦特与安森美战略合作的加深将推动我们为客户提供更创新的、领先市场的解决方案。
古瑞瓦特总裁丁永强与安森美半导体总裁兼首席执行官Keith D. Jackson
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