太阳能电池钝化层

发展，电池片的背钝化技术由此孕育而生。背钝化电池将成为下一代太阳能高效电池的代名词。德国新格拉斯科技集团于2012年1月与德国ISFH太阳能研究所运用该技术共同研制出了高效电池。该技术使目前太阳能电池的

发射器仍存有挑战，这点其实众所周知。不过，通过Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种
新型钝化工艺，并已植入英利的熊猫电池之中。离子植入与APCVD硼涂层可替代发射器工艺这类可替代发射工艺则是另外方案。 　　就这些工艺而言，同质硼层可以沉积，不过尚未形成可以运作的发射器。因此，额外的退火

Tempress、ECN与英利联合合作，这类问题已得以解决，生产同质量的硼发射器成本已经等同磷发射器。其实，结合氮化硅生产钝化层更为困难。ECN已经发明一种新型钝化工艺，并已植入英利的熊猫电池之中。离子植入与

世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池

，作为国内股权投资的先行者，综艺集团的股权投资已覆盖金融、消费品、医药、现代牧业、现代服务等诸多高成长行业。公司子公司综艺光伏有限公司40MW非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳能电池扩建项目在抓紧建设中；公司
生产单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池芯片，太阳能电池窗和光伏电池幕墙，太阳能电池组件和供电系统等太阳能光伏产品；具有LED照明和大型LED显示屏工程施工能力。TOPRAYSOLAR品牌的多类型全系列

效率提高到2.0%。背面钝化，在太阳能电池背面填充游离原子键，同时减少总是存在于电池上部区域的缺陷的数目的工艺。它是能够生产长期、高性能硅太阳能电池的关键。外延生长，一项硅片生产的新技术，硅衬底可
确认不发年终奖但对CEO下课话题只字未提；有人事变动的：NatcoreTechnology任命新顾问委员会负责人，杜邦宣布领导层变动；更多的还是逆势扩张的：Envision Solar与Horizon

的母线电极由2010年的两根增加到了三根，从而减少了电损失。单元背面与2010年一样，继续采用了在硅晶元和背面电极之间形成钝化层以实现局部接触的PERC构造。 　　此外，德国Q-Cells公司展示了
德国肖特太阳能(SCHOTT Solar)宣布，该公司的多晶硅太阳能电池模块转换效率达到了全球最高的18.2%，并在EU PVSEC上展示了该模块。在2010年的EU PVSEC上，该公司展示了

和晶硅电池基于硅片不同，薄膜电池是基于玻璃基板。这就从根本上决定了生产材料的成本比晶硅电池要更低。它被称为第二代太阳能电池。采用化学气相沉积法在玻璃基板上生成一层半导体薄膜，产生光电效应。根据
新材料和结构的太阳能电池的统称。已经提出的第三代太阳电池主要有叠层太阳电池、多带隙太阳电池和热载流子太阳电池等。二、光伏技术发展战略目标和产业技术路线图晶硅电池发展的趋势是低成本高效率，这是光伏技术的

。排名第二的是centrotherm photovoltaics，其centaurus技术升级套件十分显著，其晶体硅太阳能电池结合了选择发射极和背面绝缘层钝化技术。然而，centrotherm

、可靠性问题和腐蚀。IMEC将Cu接触引入太阳能电池的方法是基于在介质钝化层中综合激光烧蚀开窗口、接着是阻挡层物理气相淀积（PVD）或无电镀复（e-less plating）。此流程中采用如Ti、Ta