太阳能电池钝化层

采用钝化发射极和背场技术以减少损失提升电池效率。此次在IEEEPVSC的文章介绍了背表面氧化铝钝化层对电池性能的提升作用，Andes电池目前试产平均效率可达19.9%。采用Andes电池制成的组件功率

置于镀铝太阳能电池整个背面。替代银接触使每块电池的成本降低0.03欧元，然而该背接触层旨在改善背面钝化，据说会使整个电池效率提高0.2%。

态密度，这就是钝化层的作用。玻璃的折射率n0为1.5，晶体硅的折射率nsi为3.6，最合适的减反射膜的光学折射率经过计算为2.3。所以要想做良好的减反层，折射率就需要控制在2.3左右。SiO2可以
为了更好地降低电池的上表面复合速率，提高电池的短波响应，同时结合热生长SiO2的表面钝化特性以及PECVD法沉积SiNx良好的减反射以及体钝化特点，硅片表面先生长一层SiO2薄膜，然后在SiO2薄膜上生长

硅原子的未饱和键都被氧化层中的原子所填补，因而降低表面态密度，这就是钝化层的作用。玻璃的折射率n0为1.5，晶体硅的折射率nsi为3.6，最合适的减反射膜的光学折射率经过计算为2.3。所以要想做良好的

的气相薄膜生长技术，具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率。通过原子层沉积氧化铝薄膜对晶体硅太阳能电池硅片进行表面钝化，可以增加载流子的有效寿命，从而大幅度提高太阳能电池整体的转换效率。ALD表面

索比光伏网讯:核心技术涵盖了生产高效的PERC电池所必备的制程步骤 全自动化镀膜系统在晶硅太阳能电池的正面与背面进行保护层钝化，大幅提升晶硅太阳能电池的转换效率核心技术涵盖了生产高效的PERC电池所

。这方面Al比较好，因为Al的氧化物(Al203)形成高密度保护层，可防止下面的Al进一步氧化。目前还难以得出结论，在硅片太阳能电池中Cu或Al那一种金属是指电极更好的替代品。尽管如此，仍能对它们各自的
)硅片上进行的。钝化后，在硅片上用电子束蒸发和剥离(lift-off)工艺制作直径200m的Al圆点。重要的是，钝化后的溅射工艺要缓和，因为溅射淀积能破坏钝化层。图2说明确定Se钝化n型Si(100

2013年5月13日，德国新格拉斯科技集团将在SNEC上展示晶硅电池背钝化技术的生产方案（如PERC，发射极钝化和背场钝化）。该方案能在现有的晶硅电池生产线上进行升级，无需使用选择性发射极，通过
AIOx/SiNy 背钝化膜来大大提升电池的转换效率， 目前已经达到20.1 %，是全球在大规模生产金属丝网印刷晶硅电池领域得到的最高效率之一。 该集团通过增加额外的三个工艺步骤实现对现有产线的

。太阳能电池硅片最重要的特性之一是少数载流子扩散长度，它直接取决于少数载流子复合寿命，对电池效率有很大影响。所以，少数载流子扩散长度和寿命最好是尽可能高。这方面， n型硅片是很好的候选材料，因为去气和钝化
yingle、Shen yanlong、Chen jianhui、Yu bo、Tian shuquan、Xiong jingfeng，Yingli Solar大部分太阳能电池的生产目前是基于晶硅片，采用