器件
，围绕 “高效率、长寿命、易制备” 目标，设立材料制备、器件工艺、装备适配、稳定性强化四个方向，覆盖从材料合成到可靠性验证的全创新链条。参赛者需针对上述一个或多个瓶颈，提交包含技术路线、关键工艺参数
系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000
nm
红外光区具有显著的光电响应，器件表现出更低的暗电流、优异的近红外响应度和探测率(图5)。总之，本研究提出一种新颖的“超分子诱导”策略，在金属卤化物钙钛矿中实现了显著的可见至红外的光吸收，光谱拓展至
蓝绿激光器是下一代光电子器件的关键组件。传统的GaN-InGaN激光器性能优异，但其复杂的制备工艺和精确带隙调控的挑战限制了其应用。杂化铅卤钙钛矿因其可调带隙和低成本溶液加工特性成为有潜力的替代材料
展望1. 扩展光谱覆盖范围：探索 Rb-Cs
合金化策略在红光/近红外波段准二维钙钛矿的应用，实现全可见光及近红外可调谐激光输出，填补当前体系波长覆盖空白(532 nm)。2. 电泵浦器件开发
研究内容澳大利亚国立大学 Manuka Suriyage, Ruo-Si Chen & Yuerui Lu教授团队发表了以下见解：二维材料因其超薄、高性能的特性，在下一代电子器件领域中展现出巨大潜力
。石墨烯、过渡金属硫族化物(如MoS₂)等材料的出现，为构建更小、更快、更智能的电子器件提供了基础。然而，要真正将这些材料应用于大规模集成电路中，制造工艺的突破是关键的一步。传统的图案化技术，如光刻
本篇工作报道的全钙钛矿叠层的空穴传输层及宽窄带隙钙钛矿活性层全部使用刮涂制备，所以在制备大面积器件方面具有很强的指导意义和价值!且研究者们对钙钛矿的成膜也做出了细致的调节，从最初的溶剂比例(DMF
埋藏钙钛矿界面处的缺陷。所得到的全钙钛矿串联太阳能组件的功率转换效率为24.5%，孔径面积为20.25平方厘米。图一、钙钛矿薄膜及器件的均匀性。工艺窗口即刮涂结束到热台退火这个过程。图二、延长工艺窗口
作为光伏电站的"心脏"，其性能直接决定收益上限。特变电工新能源1500V/450kW大功率组串式光伏并网逆变器深度融合第三代半导体(SiC)器件、磁集成、热集成等先进技术，成为光伏大基地大方阵的"全能
。效率与成本双优解第三代半导体(SiC)器件等技术的应用，可有效提高产品效率，降低系统损耗，直接转化为客户收益的增加;855-1400Vdc超宽满载电压范围进一步提升发电收益，1000Vac交流输出降低
脱扣开关等多款直流元器件，以及涵盖户用、工业商储能系统，光伏系统、逆变器系统的智慧新能源解决方案。这些产品和解决方案充分展现了奔一新能源在新能源输配电系统领域的强大实力与丰富经验，吸引了大批参展嘉宾及
，虽然实现了电路拓扑的对称性，但是增加了较多的谐振原件，使得成本升高，且不利于高功率密度的实现。因此综合考虑下，SRDAB变换器具有元器件相对较少，宽电压范围，高效率，易于实现双向能量传输等优点，在大功率
工业科学技术研究所(AIST)研究硅异质结结构和器件。2008年，他加入瑞士纳沙泰尔洛桑联邦理工学院(EPFL)光伏和薄膜电子实验室，担任其高效硅太阳能电池活动的团队负责人。自2016年9月以来，他
的界面结构和电接触形成的基本理解。他还对新的器件架构和应用感兴趣，如背接触太阳能电池和硅基多结太阳能电池，旨在提高全太阳光谱发电的利用率。这些器件的一个典型例子是钙钛矿硅叠层太阳能电池。Stefaan
导语：效率、安全、成本——光储充产业面临“三座大山”。如何破局关键元器件?6月26日，东莞虎门，TI、瑞萨等全球顶尖专家深度解析SiC/GaN、磁性材料、散热集成等技术难题，共探产业升级路径。在
“双碳”目标的驱动下，光储充产业迎来爆发式增长，但效率瓶颈、安全焦虑与成本高压仍是横亘在行业面前的三座大山。6月26日，第十六届光储充关键元器件技术创新研讨会邀请来自德州仪器(TI)、瑞萨电子、扬杰科技
