发光效率

SAM HTL 厚度超过 10 nm，将导致效率大幅损失。在此，华东师范大学方俊锋&李晓冬报道了一种厚度不敏感的聚合物 HTL(P3CT-TBB)，通过 1,3,5 - 三(溴甲基)苯(TBB
，基于 P3CT-TBB 的倒置 PSCs 展现出超过 26% 的最高效率，且无厚度敏感性 —— 当 P3CT-TBB 厚度超过 60 nm 时，PSCs 仍能保持超过 24% 的效率。此外，由于

钙钛矿层形成双重强键合，同步增强界面粘附力与电荷传输效率。同时，Sn²⁺氧化的抑制显著改善了钙钛矿薄膜的形貌与结晶度。基于该策略，柔性单结窄禁带电池实现了18.5%的能量转换效率(PCE)，并在3000
次弯曲循环后保持95%的初始效率。将其应用于单片集成柔性全钙钛矿叠层电池，最终获得24.01%的认证效率。图1 a) 引入2-BH前后锡铅钙钛矿薄膜的机理示意图。b) 2-BH与PEDOT:PSS两种

文章介绍钙钛矿和有机半导体的宽带隙可调谐性使得钙钛矿-有机叠层太阳能电池的开发具有有希望的理论效率。然而，报道的钙钛矿-有机叠层太阳能电池的认证效率仍然低于单结钙钛矿太阳能电池的认证效率，主要
同时，将光学带隙降低到1.27 eV。瞬态吸收光谱证实了从P2 EH-1V到施主PM 6的有效空穴转移。基于P2 EH-1V的器件显示出0.20 eV的降低的非辐射电压损耗，而不影响电荷产生效率

27% 的功率转换效率(PCEs)。与现有围绕 SAM 分子结构调制的综述不同，本工作重点关注基于 SAM 的倒置 PSC 在掩埋界面工程方面的最新进展。首先，通过对文献的全面分析，定义了八种
不同的掩埋界面工程策略，并阐明了其潜在机制。其次，系统梳理了 SAM 基倒置 PSC 在稳定性研究方面的最新进展。最后，提出了优化器件效率、稳定性及可扩展商业化的策略建议。文章概要一、引言p-i-n

钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低
载流子传输效率，限制了器件性能。本文提出了一种酰胺化延迟合成策略，通过引入共价金属卤化物来中断酰胺化反应，释放自由酸/胺，与PbX2配位形成规整的铅卤化物八面体，从而有效抑制PbX2沉淀和缺陷形成。实验

转换效率可超过100%。例如，在掺杂稀土离子的发光材料中，可以通过能级级联或双离子协同跃迁实现量子裁剪。图1(a、b)展示了Bi³⁺–Eu³⁺共掺杂YVO₄下转换材料在可见光和紫外光激发下产生的发光(在

测定工作条件下的隐含电压，揭示了稳态和瞬态条件下的传输损耗;2)构建了基于PL的电流-隐含电压曲线，显示隐含效率高达18.1%和18.2%;3)结合PL和电致发光测量，估算了最大功率点的光生电流，发现其
在有机太阳能电池中，自由载流子的光致发光(PL)是表征器件性能的重要工具，但其信号常被未解离激子的发光掩盖。本研究德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所Uli Würfel等人提出了一种改进的瞬态PL

：这种受体展现出高的光致发光量子产率和适中的结晶度，平衡了电池的效率和稳定性。低电压损失：采用这种受体的有机太阳能电池实现了高效率和低电压损失。研究内容：该研究专注于通过分子设计来提高电子受体的性能

金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而
域、大晶粒全无机钙钛矿晶体的替代策略。使用牺牲添加剂次磷酸和氯化铵来诱导溴化铯铅的成核和结晶，从而得到具有最小陷阱密度和高光致发光量子产率的单晶颗粒。得益于高载流子迁移率和抑制的俄歇复合，我们获得了