印刷工艺

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PERC、MBB、半片、叠片等,盘点那些光伏热门技术来源:光伏测试网 发布时间:2019-08-13 09:22:44

%-0.5%的效率提开。 双面电池技术 双面电池是近年光伏企业另一项重点突破的技术之一,和常规电池相比,该款电池主要增加了双面浆料印刷和硼元素掺杂(如旋涂、印刷高温推进和固态源扩散等)等工艺。这种

又一个世界纪录!汉能高效硅异质结太阳能电池转换率再创新高来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2019-08-05 08:46:26

! 据了解,SHJ技术从发明到今天,29年来,世界纪录一直被日本企业垄断。今天,这项纪录终于被中国人改写! 更重要的是,此次由中国人改写世界纪录的太阳能电池,是在使用量产设备和低成本量产工艺的前提下取得的
,相比通常情况下刷新世界纪录所采用的实验室研发设备及工艺,这项技术可以直接用于大规模量产。 SHJ技术被称为极具竞争力的下一代太阳能技术。基于这种技术生产的组件,具有极好的耐候性,使用寿命可达30年

“即将进入黄金时期”——钙钛矿太阳能电池来源:光伏领跑者创新论坛 发布时间:2019-07-29 14:57:54

结构性能更好,可采用室温工艺制造。室温工艺包括精密卷绕印刷。黄劲松说:这绝对是你能想到的最快方法。现有很多聚合物薄膜一类的产品的供应商。你不必重新研制任何设备。 尽管取得了巨大成果并开展了密集的活动

解构HJT来源:中信建投 发布时间:2019-07-29 09:04:30

工艺:核心工艺与PERC完全不同 异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别在于:1)非晶硅薄膜沉积环节,使用PECVD或RPD沉积本征

捷佳伟创:全球光伏电池片设备龙头来源:大众证券报 发布时间:2019-07-28 11:15:41

,公司致力打造光伏电池片设备全产业链布局,在丝网印刷、烧结、分选领域也进行了技术储备。 截至2018年末,公司已取得专利196项,并针对Topcon、N型电池、HIT电池进行了研发项目储备。根据
%,若仅考虑电池片设备市场预计公司市占率超过40%。 下游扩产有望超预期 目前业界已经达成共识,PERC工艺是光伏电池未来几年发展的主流技术,传统主流大厂从2017年就开始大规模布局PERC技术

沃沛斯能源为共享单车提供新型轻量化光伏组件来源:PV-Tech 发布时间:2019-07-23 10:20:48

控制更加困难。 沃沛斯为OPES PPS组件开发了一种独特的自动化制造工艺,成功地将在电子行业成熟的印刷电路板制造技术与常规高效单晶硅电池片结合,而不再依赖使用相对昂贵的背接触式电池片与印刷
。这就是为什么所有专家都对这个市场的进一步成熟发展保有乐观期待。沃沛斯首席执行官Robert Hndel如是说。 全新生产工艺 尽管光伏组件产量增长强劲,但由于市场上还没有标准化生产设备适用于制造

叠瓦,回魂来源:摩尔光伏 发布时间:2019-07-15 11:40:28

101--101.5%,是一个封益的技术。 也有企业在今年SNEC展会上推出板块互联高效组件,该技术是将组件的间隙通过设计压缩到极致,通过紧密的排列,实现组件的高转换效率。据了解,板块互联组件内部植入了很多工艺
技术细节来优化工艺,组件没有常规的串,而采用板块替代,板块内的间隙代替了常规的串之间的间隙。 隆基乐叶在5月份推出"无缝焊接"技术,据了解该技术是通过对焊接机改造,就可以实现"无缝焊接"组件生产,相比"拼

2019光伏产业链分析来源:国荣证券 发布时间:2019-07-11 09:01:17

瓦成本则是衡量电池片本身性价比的主要途径。 电池片产业工艺技术标准化程度高,壁垒低,同质化高。晶硅电池主要经过清洗、制绒、热扩散、去磷硅玻璃、刻蚀去边、PECVD镀减反射膜、丝网印刷电极和烧结等八个
工艺技术革新。单晶在金刚线革命后,产品控成本能力趋于一致,因此单晶企业盈利能力趋同。电池片行业仍然产能过剩,未来电池片技改能力尤为重要。 1.海外装机爆发增长,多地区即将步入平价时代 全球各国

nTOPCon领跑双面技术时代来源:光伏测试网 发布时间:2019-07-01 09:28:50

,对于p型电池,前表面为磷掺杂的n+发射极结构,经过丝网印刷、烧结之后金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为800~1000 fA/cm2;对于n型电池,前表面具有相同方阻的p+发射极经过
丝网印刷、烧结之后,金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为1000~2000 fA/cm2。随着市场对高效电池和高功率组件的需求急剧增加,降低金属-半导体接触区域的复合显得尤为重要

P型单晶电池转换效率达26.1%,创下新记录来源:PV-tech 发布时间:2019-06-30 20:13:04

㎡指定电池面积上的填充因子为(84.280.59)%。 用激光接触开口取代光刻是迈向工业化的重要的第一步,因为它实现了金属化丝网印刷工艺。工作组组长Robby Peibst教授表示。 ISFH指出
哈梅林太阳能研究所(ISFH)和汉诺威莱布尼茨大学在一块经过特殊处理的叉指p型单晶硅片背面使用了多晶硅脱氧多晶硅氧化物触点工艺,实验室电池转换效率达到26.1%,创下记录。 ISFH主任Rolf