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单晶硅炉
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热
制备105nm AlOx薄膜钝化PERC电池背面，在0.5cm的4cm2 区熔单晶硅上制得效率为21.5%的电池，这是目前采用氧化铝钝化PERC电池的最高效率，而采用超薄的7nm Al2O3
好了迎接这轮洗牌的准备。2016年，阿特斯就筹划将铸锭车间搬往包头，2017年5月包头阿特斯就开始了铸锭生产。目前包头阿特斯有91台铸锭炉，24台单晶炉，还承包了银和七十多台铸锭炉，目前这些铸锭车间都在
多晶硅生产工艺技术研究取得重大突破。 据亚洲硅业(青海)有限公司副总工程师宗冰介绍，颗粒硅主要用于单晶硅连续拉晶加料、高效多晶硅铸锭铺底以及西门子法块状多晶硅填隙增加装炉量，高品质，低成本的产品
来源：太阳能杂志
摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的
反复讲过这个核心逻辑，我认为2018年将是光伏产业最后一次成人礼，背后的原因就是产能大量投放叠加中国需求的萎缩。
而技术变革下导致单晶硅片更具性价比带来的行业龙头的更迭就是典型的经济周期。一旦被
按照十年折旧法提记折旧。一旦行业技术路线更新，老设备往往在没有完成折旧的时候就面临淘汰。就以这一次光伏产业中单晶替代多晶的这一轮技术浪潮为例，行业内存量的多晶炉产能大部分形成于2010~2015年间
已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将
最重要的参数。2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。
与常规电池相比，PERC电池的优势主要有两个方面：
(1)内板反射增强，降低长波
高方阻的均匀性、轻重掺杂区方块电阻匹配和印刷正电极的精确对位等问题，本文主要对前两个问题相关工艺进行研究。
2.实验过程
2.1实验原材料
实验采用156.75156.75mm的单晶硅
电阻，通过缩短扩散时间和降低扩散温度两种方式将正常的85/□升高至目标方阻。实验使用Tempress4管5恒温区扩散炉进行，实验1为将原扩散工艺的扩散时间缩短4min,实验2为将原扩散工艺的扩散温度降低
阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。
单晶硅的提炼：纯度不高的单质硅可用金属镁或铝还原二氧化硅制得，但这是无定形硅。晶形硅则要在电弧炉内用碳还原
，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅，可用作半导体材料，它的来源丰富，价格便宜，大部分半导体材料都用硅。
多 晶 硅
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下
，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒
效率。国内成功研制全自动连续拉晶技术，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的
