单晶生长设备

单晶将成为融合单、多晶优势的跨界产品，拥有较高的性价比：以下主要从铸造单晶及其硅料成本、加工成本、质量四个方面进行描述： 一、铸造单晶 利用单晶硅为籽晶，通过铸锭炉生长的铸造单晶，制备的电池效率较

化学气相沉积法同溅射法一样，可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。这种方法根据等离子体的激发方式，用于生长氮化硅薄膜的PECVD设备一般分为两种类型：直接PECVD设备和间接

腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的
来源：太阳能杂志 摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响

单晶制绒的工艺以及设备运行状态对表面制绒的效果起着非常重要的作用。制绒设备的运行状态直接影响着工艺的正常进行，工艺的正常运行及稳定性直接影响着制绒效果，金字塔的生长等等。理想质量的金字塔的形成

% ;第二阶段是加入热氧化工艺，并优化刻蚀、扩散匹配，效率提升至 21.7%;第三阶段，即将规模推广的 SE 技术效率将提升至量产 22% 。 无论处于何种工艺阶段，核心的背钝化膜层的生长设备选型十分重要
的因素。钝化量产设备分为两派：一派以德国Centrotherm为代表，采用PECVD生长的氧化硅/氮化硅叠层膜作为背面钝化膜，另一派以德国R&R公司为代表生产的氧化铝镀膜设备，并且开发出二合一的氧化铝

激磁电源并配置磁场设备，增加了工艺难度与生产成本。降低硼的掺杂浓度，使用得到的高阻材料制作电池(如5-10cm)，但在制作背场时需要较高的工艺要求。 5)采用区熔单晶硅技术。 区熔单晶硅技术不仅

。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
级单晶硅片(单晶硅)的应用，同时，太阳能电池转换效率在过去两年间突破了20%。而晶澳太阳能通过对工业化生产级别的PERC太阳能电池的不断研发，只需对现有传统背表面场(BSF)电池生产平台稍作改进，便能

PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理
　　 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会

元。 3、硅料在单晶炉生长成为晶体的过程中要消耗大量的电力、人力以及设备损耗，目前中环1kg单晶方棒的长晶成本为55元;则1kg单晶方棒硅料成本+长晶成本=135.7+55=190.7元。 4

棚下农作物光照条件是否会受到影响。因为农作物需要光合作用，原本喜阳的植物，在棚顶装上了光伏组件，组件在一定程度上降低了辐射强度，会影响农作物生长，进而影响农作物产量。对于喜阴植物则影响不大。 对于
专家进行实地考察，进行专业分析，确定适合种植的农作物，避免光伏电站影响农作物销量。 提前预估出农作物与光伏电站相关间的影响。农作物对光伏电站结构设施和设备产生的不利影响，如腐蚀对钢结构的不利影响，大棚