单晶制绒设备

单晶制绒设备,索比光伏网为您提供单晶制绒设备相关内容,让您快速了解单晶制绒设备最新资讯信息。关于单晶制绒设备更多相关信息,可关注索比光伏网。

协鑫光伏凸显制造业“工匠精神”来源:苏州高新区委宣传部 发布时间:2017-05-25 16:59:34

,多晶金刚线硅片供不应求,阿特斯、海润、晶澳、天合等大客户纷纷提货,对协鑫公司生产的金刚线多晶硅片产品满意度较高。随着下游客户添加剂的工艺突破,加快了金刚线多晶片的推广进程,预计2018年将全面切换
过程,刘建平感慨良多。他介绍:DMB设备改造之初,装备表现不太稳定,良率波动较大,维持在88%左右,止步不前。对此,他带领团队积极开展头脑风暴,利用散点图进行分析,发现70%的改造机台良率可以到达90

太阳能利用工要知道的太阳能利用发展史来源:百度文库 发布时间:2017-05-19 23:59:59

就用这种简易的太阳能装置烧饭。1839年,法国科学家Edmund Becquerel 观察到了太阳能的ink"光伏效应。1861年,法国科学家Augustin Mouchot 取得了太阳能设备的专利权
。1870年Augustin Mouchot利用太阳能炊具、太阳能水泵灌溉、太阳能蒸发器制酒和水蒸馏(广泛的利用太阳能)。美国工程师John Ericsson 开发了太阳能驱动的般只。1891年,美国

江苏南通苏民新能源5GW高效PERC电池项目举行奠基仪式来源:南通滨海园区 发布时间:2017-05-04 23:59:59

电池项目,以钝化发射极、背面钝化技术、激光刻蚀技术、特殊背面铝浆技术、背面抛光技术、抗LID 技术等为研究方向,开发高效晶硅太阳能电池产品。购置单晶装片机、单晶槽式机、低压闭管扩散炉、在线扩散

南通苏民新能源5GW高效PERC电池项目开工建设来源:南通滨海园区 发布时间:2017-05-04 16:34:28

、特殊背面铝浆技术、背面抛光技术、抗LID 技术等为研究方向,开发高效晶硅太阳能电池产品。购置单晶装片机、单晶槽式机、低压闭管扩散炉、在线扩散自动化、湿法刻蚀抛光机、背钝化自动上下料、背钝化

北方华创:技术革新 引领高端光伏装备未来来源:OFweek 太阳能光伏网 发布时间:2017-05-02 23:59:59

,其中低压扩散炉、全自动单晶炉成为市场的主力产品,它们有哪些竞争优势?此外,贵公司新推出的D-Ark槽式黑硅清洗机吸引了现场观众的目光,相对于其他同类产品,它有哪些特点?李补忠:大家知道,北方华创在

如何看待隆基、协鑫无偿公开专利?来源:智汇光伏 发布时间:2017-04-24 23:59:59

索比光伏网讯:今年的SNEC大会上,有两家企业的举措尤为引人注目。4月20日,隆基乐叶向行业公开其全球领先的单晶低衰减技术LIR(光致再生)技术4月21日,保利协鑫宣布无偿转让TS产品成熟的黑硅

细数英利在SNEC展会上的黑科技来源:索比光伏网 发布时间:2017-04-20 16:38:57

,英利新型的熊猫双玻产品,电池最高效率可达24.5%,60片型组件功率可达380瓦。 黑科技之黑硅 黑硅是采用新型技术,大幅吸收光能,提升光伏电池转换效率的新型技术。英利的黑硅产品制备,拥有
丰富的技术元素。采用金属催化化学腐蚀法(MCCE),在电池表面形成更加紧致、细密的纳米级绒面,通过大幅降低电池反射率的方式,大幅吸收光能。后的反射率下降达10%,镀膜后的反射率下降达4%以上

【SNEC现场】六大“新”亮点见证贺利氏的品牌实力来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2017-04-20 13:31:44

。9641A系列适用于极具挑战性的黑硅光伏电池。特殊纳米结构的黑硅的电池表面对金属化浆料带来了巨大的挑战。贺利氏光伏针对黑硅工艺推出了9641A系列,其专门设计的配方包含独特的玻璃化学成分和独特的
转化效率。SOL9641B系列助力PERC电池效率迈上全新的台阶。贺利氏全新的SOL9641B系列可适用于ULDE和PERC单晶硅和多晶硅电池,该系列采用改良的副栅线设计,可显著提升电池效率(最多可提升0.2

SNEC 2017来了 专业看点在哪?来源: 发布时间:2017-04-15 08:36:59

黑硅是EnergyTrend团队认为今年最值得关注的技术,包括海润、协鑫、阿特斯、比亚迪、通威等厂商均有可能展示。EnergyTrend分析师表示,今年黑硅的焦点在于工艺的选择,各厂将采用干法、湿法
完善、产能最大的地区,中国大陆的光伏技术向来是各界关注的焦点。EnergyTrend团队将SNEC 2017值得关注的技术与重点厂商整理如下。在单晶电池方面,P型单晶PERC的效率进展仍将是今年的一大

解围多晶硅技术之困!光伏技术大咖出高招来源:经济观察网 发布时间:2017-04-06 23:59:59

单晶退出市场的主要原因:由于高效多晶技术出现(效率提升0.3%以上),拉近了单多晶效率差,使得准单晶的优势削弱;侧部长晶造成全单晶片产出率低,含多晶晶粒的硅片碱后明显色差,市场接受度低;位错密度高