半导体器件

半导体器件,索比光伏网为您提供半导体器件相关内容,让您快速了解半导体器件最新资讯信息。关于半导体器件更多相关信息,可关注索比光伏网。

面壁者沈浩平来源:索比光伏网 发布时间:2021-03-24 15:40:14

。金刚线技术已经成为业内标配,进一步推动着硅片薄片化技术的发展,成为接下来光伏降本的重要途径;储备多年的半导体技术开始贡献利润,并对光伏技术升级提供强大基础;具备优势的N型硅片也随着HJT等高
让保利协鑫重回巅峰,中环功不可没。 210被外界视作技术上的蛙跳,实际上也是背后长周期积累的结果。沈浩平认为,蛙跳式创新来源于多条垒积式创新的交汇。210技术就是光伏技术半导体化+工业4.0的产物

中山大学毕冬勤教授在二维钙钛矿太阳能电池研究方面取得重要进展来源:中山大学 发布时间:2021-03-23 10:21:35

结构,其中无机半导体层充当阱,绝缘有机层充当阻挡层。由于其较长的烷基链,分子量较大的有机组分更疏水,长链有机胺可以有效地隔绝水分和氧气,从而可以显著提高器件稳定性。 尽管如此,2D钙钛矿薄膜中的随机
相分布会阻碍载流子传输并增加载流子复合,进而影响器件的性能和稳定性。为解决这一问题,中山大学毕冬勤教授团队提出了一种作用于2D 钙钛矿GA2MA4Pb5I16的多功能界面改性策略,使用溴化胍

通向成功的禁带:第三代半导体国产化为光伏带来新机遇来源:索比光伏网 发布时间:2021-03-09 12:25:25

,光伏逆变器元器件环节长期被国外厂商占据大部分市场份额,但现在,国产功率器件将有望打破壁垒,利用第三代半导体的机会弯道超车,助力中国光伏逆变器企业顺利推出下一代解决方案,让光伏迎来新一轮的提效降本技术热潮

光伏项目2个!2021年山东省重大项目名单来源:山东省人民政府 发布时间:2021-03-05 10:07:33

项目 (年产种苗1800万株、成品花卉1000万株) 118 山东奥天电子科技有限公司半导体集成电路及分立器件研发产业化项目 (年产配套功放管8000万对、电子产品3.6亿颗) 119 安丘市金控
变型车项目 (年产SUV车14万辆) 104 烟台台芯电子科技有限公司大功率半导体项目 (年产IGBT模块200万块) 105 烟台新浩阳轴承有限公司风电主轴轴承一期项目 (年产风电主轴轴承

肖鹏军、周罡、汪毅、金浩、刘正新被授予“中国标准推动者”大奖来源:索比光伏网 发布时间:2021-03-04 10:41:37

领军人物、国际青年科学家奖等荣誉。 刘正新主要从事太阳电池和微能源技术研究和器件开发开发。在beta-FeSi2化合物半导体材料在光电领域的应用、微小尺寸球型硅太阳电池以及晶体硅太阳电池方面取得了

恭喜!中环半导体荣获2020“光能杯”评选“最具影响力原材料企业”大奖来源:索比光伏网 发布时间:2021-03-03 16:50:10

、航天航空、光伏发电等多个领域。 公司主导产品电力电子器件半导体区熔单晶-硅片综合实力全球前三,国外市场占有率超过18%,国内市场占有率超过80%;单晶晶体晶片的综合实力、整体产销规模、研发水平全球
2021年3月3日,由索比光伏网、索比咨询联合主办的2020年度光能杯跨年分享会暨颁奖典礼圆满落幕。本届光能杯共有300余家光伏企业参与报名评选,天津中环半导体股份有限公司凭借强大创新力、出色的品质

光储、成本、深度融合:十四五光伏产业三大挑战来源:索比光伏网 发布时间:2021-02-23 12:17:57

、流化床颗粒硅、高密度组件、跟踪支架、更高电压等级、更大子阵以及采用第三代半导体器件的逆变器,可能会成为产业持续降本的主要推动力。 同时更高电压等级(1500V以上)、更大光伏子阵(6MW以上甚至超过

光伏平价热土广东省:大唐、广东能源、华润、阳光电源领衔,32GW项目备案一览来源:光伏們 发布时间:2021-02-21 11:30:14

10000万元人民币,经营范围包括光电子器件半导体照明器件、太阳能热发电产品、集成电路芯片、电子元器件(光电子器件)的研发、制造、销售;发电业务、输电业务、供电业务等。根据项目审批监管平台显示,该公司

第三代太阳能电池效率显著提升来源:科技日报 发布时间:2021-02-19 09:37:50

串联装置效能优越的证据。 钙钛矿太阳能电池,是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的第三代太阳能电池,具有成本低廉、光电转换效率高、商业潜力巨大等让人无法忽视的特点。 此次研究团队
电极的器件结构依赖于反照率来增强底部电池中的电流产生,增强了钙钛矿顶部电池中的电流产生。 团队进而首次报告了在单面AM1.5G(太阳能转换系统标准测试的参考光谱)阳光的照射下,经认证的功率转换效率

下载丨碳化硅半导体材料与器件来源:半导体在线 发布时间:2021-02-02 09:59:33

本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著,主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论,内容包括:SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器
、SiC微波二极管、SiC晶闸管SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管,以及siC BJT等。书中涉及SiC材料制备.外延生长、测试表征.器件结构与工作原理