区熔

SG50KTL。该产品最高效率超过99%，仅重39kg,安装维护便捷；采用智能风扇散热，保证50℃环境温度下不降额，有效保障了高温环境下的发电效率；同时直流侧采用光伏专用熔丝保护，有效规避火灾风险。对话阳光电源
技术创新的企业才能基业长青，推动行业的快速健康发展，同时呼吁企业在创新的阶段需要有相对公平的机制。在2016采煤沉陷区国家先进技术领跑者计划光伏示范基地交流会上，阳光电源副总裁郑桂标和副总裁赵为也

　 各省（区、市）及新疆生产建设兵团发展改革委、能源局，国家电网公司、南方电网公司，电力规划设计总院、水电水利规划设计总院： 　　根据《国务院办公厅转发发展改革委关于十三五期间实施
工程质量。应用新技术、新产品、新工艺，提高装备水平。坚持绿色发展，拆旧回收的物资经检验合格后，应梯次利用于电网建设与改造。 　　2.6 农网改造升级应适应智能化发展趋势，推进配电自动化、智能配电台区

多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了
为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下

损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高
。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM

工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
著名商标。产品远销国内30多个厂家和欧美、亚非等10多个国家及地区，2015年实现销售收入1.62亿元。中剑公司副总经理陈瑛清告诉记者：商南硅科技产业园区分为硅材料生产区、光伏生产区、质检研发区、综合办公区

工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
著名商标。产品远销国内30多个厂家和欧美、亚非等10多个国家及地区，2015年实现销售收入1.62亿元。中剑公司副总经理陈瑛清告诉记者：商南硅科技产业园区分为硅材料生产区、光伏生产区、质检研发区、综合办公区

升级。公司自主研发了用石油焦作还原剂生产工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术
生产区、光伏生产区、质检研发区、综合办公区、员工生活休闲区5大区域。布局的高纯硅、太阳能级多晶硅、多晶硅铸锭切片、太阳能电池、光伏组件、余热发电、微硅粉回收综合利用、渣剂、高纯水与气体制备等10大产业

有限责任公司与美国REC硅料公司在西安就榆林多晶硅项目合资、技术转让等合作事项实现了成功签约，拥有了当今全球最领先的电子级硅烷气生产技术、二代硅烷流化床法生产粒状多晶硅技术和超高纯电子级多晶硅和区熔级
多晶硅生产技术。其中，区熔级多晶硅生产技术成功引进后，将使我国多晶硅生产技术一举跨入世界领先水平，改变目前高端电子级多晶硅和电子级硅烷气仍然全部依赖进口的局面，并将为我国光伏产业低成本高质量发展做出

单晶高效电池逐步成为主流，区熔法的比例也将提高。 表格14：单晶铸锭直拉法与区熔法比较 在切片技术方面，目前的主流仍然是砂浆切割(Surry-based)，而金刚线切割