区熔
IP65防护等级，无熔丝自然散热设计，保证全生命周期内安全可靠运行，同时4路MPPT最大程度减少组件失配等带来的影响，整体实现电站整体发电量提升3%以上。大同领跑者项目建设地点都为地势较为复杂的沉陷区
光伏制造业从追求规模扩张向注重质量效益转变，从而实现从高补贴政策依赖模式向低补贴竞争力提高模式的转变。经过一年多时间的摸索与实施，日前首个领跑者基地－山西大同采煤沉陷区国家先进技术光伏示范基地一期
，无熔丝自然散热设计，保证全生命周期内安全可靠运行，同时4路MPPT最大程度减少组件失配等带来的影响，整体实现电站整体发电量提升3%以上。大同领跑者项目建设地点都为地势较为复杂的沉陷区，存在持续沉降
光伏制造业从追求规模扩张向注重质量效益转变，从而实现从高补贴政策依赖模式向低补贴竞争力提高模式的转变。经过一年多时间的摸索与实施，日前首个领跑者基地－山西大同采煤沉陷区国家先进技术光伏示范基地一期光伏电站
最具可持续发展理想特征的光伏发电系统,充分显示了新兴产业在改造和置换传统产业方面所发挥的领跑和示范作用。采煤沉陷区特殊的地质环境对光伏产品以及光伏发电系统建设提出了最高水平的要求。光伏企业在工程建设中
等，电站业主如何在众多中上游企业中选择真正的高效产品?
中广核太阳能开发有限公司领跑者项目总经理白石
对于采煤沉陷区的应用场景，中广核太阳能开发有限公司领跑者项目总经理白石认为，组件方面
深耕光伏产业，业绩稳定增长：公司是目前国内少数能够同时大规模生产多晶硅铸锭炉、单晶硅生长炉和区熔单晶硅炉等光伏和半导体设备的厂家。公司的这三类产品在性能、质量及市场占有率方面均处于国内领先水平。公司
科技攻关项目国产大尺寸区熔炉研制项目近日取得重大技术进展，通过了由中国电子专用设备工业协会组织召开的技术鉴定会。公司已经与南车株洲所展开合作，预计IGBT进口替代的步伐将进一步提升京运通的市场影响力
龙头企业,将明显受益行业产能扩张,带动设备业务收入与利润规模增长。半导体设备市场望获突破,打造高端装备新亮点。公司承担国家02专项极大规模集成电路制造技术及成套工艺重大科技攻关项目,研制的大型区熔单晶硅
炉取得重大突破,并完成国内第一条应用自主设备的区熔单晶硅棒生产线,填补了国内空白,目前产线已达到稳定运行状态,正积极进行产品推广。区熔法可以获得电阻率和纯度都很高的单晶硅,主要应用于制造IGBT 器件
简化施工，在连续阴雨、工期紧张的情况下，保障供货助力项目顺利并网。
无线通信 施工快 更可靠
华电山西大同领跑者100MW光伏项目属于典型的采煤沉陷区，地形复杂，尤其是土地裂缝数量多，沉降
不均匀，给电站建设带来很大难度。据记者现场了解，采煤沉陷区每20 年沉降速度约为3-5cm，对地下的线缆的布线提出了严峻的挑战。为保障此项目高质量完工，华电科工首次引入了无线传输系统
爆发中收益。参与半导体02 专项：公司参与国家02专项重点攻关项目的区熔单晶炉，目前已经通过验收，并有望开始与株洲南车合作，未来在分立半导体半导体装备领域有所斩获。投资建议：首次评级给予审慎推荐
的直拉区熔法晶体新型专用单晶炉(直拉法+区熔法)。目前已经有少量设备销往台湾(单价约100万美金),说明产品质量已得到客户认可,公司是目前国内唯一能做半导体设备的厂商。未来有望明显受益于国家对集成电路
1、前言
当前高效多晶硅组件是主流的光伏产品。高效多晶硅的制备方法分为有籽晶高效多晶硅技术与无籽晶高效多晶硅技术，即俗称的半熔高效与全熔高效。
有籽晶高效多晶硅技术(半熔
)采用毫米级硅料作为形核中心进行外延生长，铸造低缺陷高品质的多晶硅锭。无籽晶高效多晶硅技术(全熔)采用非硅材料在坩埚底部制备表面粗糙的异质形核层，通过控制形核层的粗糙度与形核时过冷度来获得较大形核率，铸造
P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区
，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的内电场，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结。
当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P型区
