区熔单晶

的加工要求。由于激光加工技术的高效率、无污染、高精度、热影响区小，因此在电子工业中得到广泛应用。 如在集成电路生产过程中采用的激光划片技术，可以达到提高硅片利用率高、成品率高和切割质量好的目的
，还可用于单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的划片以及硅、锗、砷化稼和其他半导体衬底材料的划片与切割。又如在对指定电阻进行自动粳米微调中采用的激光微调技术，精度高、加工时对邻近的元件热影响极小、不产生污染

工艺发展不平衡，如提拉法、泡生法、导模法、区熔法等与国外差距大。长期以来，在生长方法创新、配套设备研制、原辅料处理、后加工制备技术等方面都比较薄弱，整个产业链还不够完善。 　　 近年来，随着光伏产业
第一次世界大战时已出现，二战时被普遍采用，它开创了现代通讯新时代；2）硅单晶及集成技术的成功，把人类带入方兴未艾的现代计算机时代。计算机的运算速度越来越快，并将会出现量子计算机、光子计算机等采用新运算方式的

，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统

更新观念 保护技术 日前，国家知识产权局向东汽峨半厂所发来书面通知，正式受理厂所关于《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》的首个专利申请，该专利申请的受理，标志着厂、所在知识产权保护方面迈出
的科技成果状况进行了梳理，就可能申报专利的科技成果进行了专利查新，多次与专利事务所、地方知识产权局等单位洽谈，最终确定将《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》作为专利向国家提出首个专利申请，并顺利获得受理。此次

自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结

纯载流子浓度、少子寿命可以得出杂质的间接测量结果，FTIR可以得出间隙氧和替位碳的浓度，低温FTIR和PL可以得出B、P、Al的浓度，但是我们必须考虑到贯穿区熔硅锭的杂质分凝系数（SEMI MF
。如果这种新形式是FZ法生长的单晶硅（FZ, SEMI MF1723-1104, SEMI MF1708-1104）生长的单晶硅，经过热施主湮没处理后，从硅锭上切出2毫米厚的小块，这时电阻率的测量可以得出

100亿元、20家超50亿元的企业（集团）；骨干企业国际竞争力显著增强，自主品牌产品出口份额进一步扩大；形成一批在全国具有特色和影响力的产业聚集区，建设10个省级新能源高技术特色产业基地。 自主
。 硅片。重点发展大面积超薄硅片和浆料回收利用技术，加强对熔铸、剖锭及切割等关键技术创新，提高熔锭容量，降低硅片厚度，减少硅料损耗。支持镇江辉煌硅能源、常州亿晶、江阴海润等一批骨干企业提升

推进定向增发等融资手段以筹集资金，提高大直径硅单晶和太阳能硅单晶的产能，逐步成为世界级半导体材料产品供应商。 公司目前主要生产大直径硅单晶，太阳能电池用硅单晶，12英寸硅片，6英寸以下硅片和少量区熔

区熔硅单晶等产品。 大直径单晶提升业绩 公司是全球三家大单晶硅生产企业之一，实力雄厚。大直径单晶硅的产成品是抛光片托盘。托盘在芯片制造的过程中垫在抛光片下部，是芯片制造中的耗损品，每年有固定的

更大设备的研制工作，在推动JRDL-900型单晶硅炉产业化基础上，又成功将可生长出更高品质硅单晶的JRDL-1200型单晶硅炉投放市场。 公司在其他炉型研制方面也确立了方向。QR-400型区熔