区熔单晶

88%，半导体级直拉单晶硅产量583吨，区熔单晶硅产量79吨。 2007年半导体硅材料企业整体实现销售收入206.4亿元，比2006年增长75.2%。近几年随着太阳能光伏产业的

减少非晶硅太阳能电池的自然衰降，是世界光伏器件领域一个亟待解决的难题。 单晶硅太阳能电池是目前最成熟、最稳定、最可靠、应用最广的太阳能电池。从冶金硅制备到多晶硅，用直拉法和区熔法都可以得到纯度

。目前峨半厂已经攻克了多晶硅生产的“改良西门子法”中的四项核心技术，使我国多晶硅生产技术跨入世界先进水平；在国内率先研制出Φ4″区熔硅单晶，并已建成年产15吨Φ4″-5″区熔硅单晶生产线；研发出纯度为

ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件

，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

生长晶体时，可用磁场来获得高质量的InSb晶体。1970年，Witt等人提出横向磁场中生长直拉InSb晶体的报告。尔后，熔体的温度波动和设备的机械振动等问题难于解决，人们对MCZ法是否具有实用意义提出
，以新的面目出现在半导体硅工业中，显现其独特的优点。1982年，Keigo Hoshikawa在轴对称垂直磁场中，生长了无条纹的CZ硅单晶。目前有几个公司正在研究和应用这个方面。据报道，索尼公司应用

12.9亿元，预计2006年底投入运行。项目建成后，年生产能力为直拉单晶用料900吨，区熔单晶用料200吨，太阳能电池用料150吨。 11、Topsil Semiconductor Materials

多晶硅膜。可以看出，这种ＣＶＤ法制备多晶硅薄膜太阳电池的关键是寻找一种较好的再结晶技术。到目前为止，再结晶技术主要有以下几种： （１）固相晶化（ＬＡＲ）法 （２）区熔再结晶（ＺＭＲ）法 （３
）激光再结晶（ＬＭＣ）法 固相晶化法需对非晶硅薄膜进行整体加热，温度要求达到１４１４℃的硅的熔化点。该法的缺点是整体温度较高，晶粒取向散乱，不易形成柱状结晶。区熔再结晶法需将非晶硅整体加热至一定

。当温度由室温300K降到10DK时，Eg上升0.02eV，即100K时，单晶CulnSe2的带隙为0.98eV，多晶CulnSe2的带隙为1.04eV。 不论单晶或多晶在低吸收区出现一个

Si球表面上原位沉积出Si。此法沉积出的Si粉未颗粒只有十分之几毫米，可用作CZ直拉单晶的投炉料或直接制造Si带。 拉制单晶有CZ法（柑祸拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英柑蜗而不可避免地引入