更新观念 保护技术
日前,国家知识产权局向东汽峨半厂所发来书面通知,正式受理厂所关于《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》的首个专利申请,该专利申请的受理,标志着厂、所在知识产权保护方面迈出了实质性的一步。
多年来,由于受到旧观点及特殊历史环境的影响,厂、所研发的大量的科技成果均没有申报专利,导致了一些技术秘密的流失,极大地削弱了厂、所的市场竞争力。随着近年来厂所的快速发展,特别是东汽入主后,知识产权方面的现状引起了厂、所决策层的高度重视,将知识产权保护作为一项重要任务来抓,并责成科研处具体负责。自2008年,科研处工作人员为专利申报做了大量的基础准备工作,对厂、所现有的科技成果状况进行了梳理,就可能申报专利的科技成果进行了专利查新,多次与专利事务所、地方知识产权局等单位洽谈,最终确定将《真空区熔高阻硅单晶的制备方法》作为专利向国家提出首个专利申请,并顺利获得受理。此次专利申报工作的开展,为规范厂、所知识产权保护工作打开了新局面,今后科研处全体工作人员将进一步加强工作力度,提高知识产权保护工作管理水平,为厂、所又好又快的发展作贡献。