化合物半导体

。这种电池使用了PBDB-T（一种共轭聚合物）和ITIC（一种小分子化合物）这两种物质作为本体异质结（其中PBDB-T为电子给体，ITIC为电子受体），其转换效率可以达到11%以上，远高于富勒烯基
受限的钴位点上的吸附能刚好可以使吸附和解吸附过程保持平衡。3. Energy & Environmental Science：薄膜太阳能电池硫族化物吸收膜中结构缺陷的湮灭对于薄膜太阳能电池的半导体多晶

、低成本智能光伏电站，智能化分布式光伏和微电网应用，50MW 级储热的风光热互补混合发电系统等方面开展研发与攻关。（二）创新目标1。2020 年目标。突破三五（III-V）族化合物电池和铁电-半导体
光电转化和储能一体化；太阳能热化学制备清洁燃料获重大突破并示范。（三）创新行动1。新型高效太阳能电池产业化关键技术。研发铁电-半导体耦合电池、钙钛矿电池及钙钛矿/晶体硅叠层电池产业化的关键技术、工艺及

化基地。深入落实中电科集团与河北省战略合作协议，提速在建项目进度，加快LED半导体照明材料、新型化合物半导体材料、大直径外延片、液晶材料、超薄基板玻璃及成套设备等产品产业化步伐，加速形成具有较强竞争力

LED半导体照明材料、新型化合物半导体材料、大直径外延片、液晶材料、超薄基板玻璃及成套设备等产品产业化步伐，加速形成具有较强竞争力的半导体照明产业集群。唐山国家钢铁材料高新技术产业化基地和火炬计划陶瓷材料

，因此需要作进一步研究。 二、化合物类薄膜太阳能电池 化合物半导体材料大多为直接带隙，而且禁带宽度大，因此采用化合物制备的薄膜太阳能电池具有光吸收系数大、抗辐射性能良好以及温度系数小等特点。化合物

研究。二、化合物类薄膜太阳能电池化合物半导体材料大多为直接带隙，而且禁带宽度大，因此采用化合物制备的薄膜太阳能电池具有光吸收系数大、抗辐射性能良好以及温度系数小等特点。化合物类薄膜太阳能电池主要包括

都是世界装备技术、世界整机技术、开发项目建设总装机规模的世界第一位，特别是中国第三代核电技术的推出，风电从陆上到海上装机规模的扩大、太阳能从晶硅太阳能到第三代化合物半导体高倍聚光太阳能的转换，这预示着

研究成果。在III-V族半导体中，InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g 因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的
索比光伏网讯:近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（Nano Letters）上发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的

，充电时，Li嵌入到石墨层间形成插层化合物，Li完全嵌入时，每个石墨层都嵌入一层Li，对应化合物LiC6，理论比容量为372mAh╱g。当每片单层石墨都以杂乱无章的方式排列，则在单层石墨的两侧表面
，也是解决枝晶的对策之一。正极活性材料多为过渡金属氧化物或者过渡金属磷酸盐，它们是半导体或者绝缘体，导电性较差，必须要加入导电剂来改善导电性；负极石墨材料的导电性稍好，但是在多次充放电中，石墨材料的