化合物半导体
，半导体产业对矽的纯度要求更高，因此要求较低的太阳能电池可接受它们的淘汰品，但当太阳能产业爆红后，所需的矽已远超过能接收到的，必须新建许多提炼工厂才够用。然而很少有国家为四氯化矽设定严格的处理法则，拥有
Energy Laboratory）正寻找以乙醇代替氯基化合物的方法，以避免产生四氯化矽。锯切打磨清洗，需强腐蚀性物质帮忙但污染并非只到多晶硅就停止，从多晶硅到真正的太阳能电池还需要透过长晶炉生成晶棒，再
制造商所淘汰的矽芯片，半导体产业对矽的纯度要求更高，因此要求较低的太阳能电池可接受它们的淘汰品，但当太阳能产业爆红后，所需的矽已远超过能接收到的，必须新建许多提炼工厂才够用。然而很少有国家为四氯化矽
可再生能源实验室（National Renewable Energy Laboratory）正寻找以乙醇代替氯基化合物的方法，以避免产生四氯化矽。
锯切打磨清洗，需强腐蚀性物质帮忙
但污染并非只到
眼睛、皮肤与呼吸道刺激，遇上星火则会爆炸，用于倾倒或掩埋四氯化矽的土地将变成不毛之地，树木和草都无法生长。当太阳能产业还没那么庞大时，太阳能电池所需要的矽主要来自芯片制造商所淘汰的矽芯片，半导体产业对矽
Laboratory）正寻找以乙醇代替氯基化合物的方法，以避免产生四氯化矽。锯切打磨清洗，需强腐蚀性物质帮忙但污染并非只到多晶硅就停止，从多晶硅到真正的太阳能电池还需要透过长晶炉生成晶棒，再切割成晶圆或
工艺简单、耗能小、制造成本低廉、可大面积连续生产，在光伏领域引起极大关注。薄膜电池主要包括非晶硅薄膜电池和其他化合物薄膜电池两类。非晶硅的长程无序结构使其转变为直接带隙半导体，光吸收系数显著提高，相应的
薄膜电池是指在玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙
、耗能小、制造成本低廉、可大面积连续生产，在光伏领域引起极大关注。薄膜电池主要包括非晶硅薄膜电池和其他化合物薄膜电池两类。非晶硅的长程无序结构使其转变为直接带隙半导体，光吸收系数显著提高，相应的电池厚度
玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙宽度与
提升的空间已经非常有限。在这种情况下，从硅技术向砷化镓化合物半导体技术转变正成为趋势，现在在航天航空领域的运用已经实现更宽的温度工作范围，太阳能也要通过技术革命向这个方向发展。 随着
研究人员仍在探索其他的富矿：利用太阳能直接驱动二氧化碳和水低温电解的方式。很多研究工作聚焦于吸光的半导体，例如利用钛基二氧化碳纳米管分解出一氧化碳、甲烷和其他碳氢化合物。到目前为止，类似的装置效率仍不
运输燃料，使电动汽车大幅增加。但是对于长距离运输货车和其他重型交通工具以及航空业来说，现在却没有比液体燃料更好的选择了。支持太阳能的人称，应该找到一种利用可获取的化合物（如水和二氧化碳）酿造液体燃料
提升的空间已经非常有限。在这种情况下，从硅技术向砷化镓化合物半导体技术转变正成为趋势，现在在航天航空领域的运用已经实现更宽的温度工作范围，太阳能也要通过技术革命向这个方向发展。 随着
哪些改变？张传卫：能源革命关键在于技术革命。比如晶硅，其工作温度超过80度转换效率就会迅速衰减，晶硅转换效率提升的空间已经非常有限。在这种情况下，从硅技术向砷化镓化合物半导体技术转变正成为趋势，现在
光电效应。当光线照射在半导体器件上时，在器件的两侧产生电压的现象，称为光伏效应。利用半导体的光伏效应把太阳的辐射能转变为电能的发电方式叫太阳能光伏发电。2）薄膜太阳能电池定义。是指光线照在厚度仅有数m的薄膜
的优点；化合物太阳能薄膜电池以铜铟镓硒薄膜电池为代表，具有高效、低成本、高转化率、可大规模工业化生产的优点；染料敏化太阳能电池由二氧化钛和染料等材料组成，优点是成本都相对便宜，制造简单，可用印刷的方法
