准单晶
企业遇到困难，令一些企业崛起，其实往往不在于企业是否有领导力，是否有技术或经济实力，而是因为那些崛起的企业，正好踩准了行业新节点，或者是自身的核心优势，本就与节点契合。本文通过对一系列优秀企业的介绍
音，也正符合经济学家熊彼特提出的“破坏型创新”学说：侧面看出这种创新对于现在的市场格局颠覆得多么厉害，只有五年前单晶向多晶宣战可以相提并论。熊彼特认为,所谓创新就是要“建立一种新的生产函数”，这个函数
在方型石英坩埚内采用铸造的方式，经铺设籽晶并采用晶体生长工艺，得到铸锭单晶大方锭，如图2所示。由于直拉单晶开方切片是从圆到准方的过程，而铸锭单晶是从方到方，因而对尺寸适应性更好、可以更加灵活
企业侵犯其PERC钝化技术专利。王勃华提醒行业，中国光伏企业需要不断加强知识产权布局，包括并不限于准单晶相关专利、高效铸锭多晶专利、三栅线专利等。
取得合法知识产权许可授权的制造商，一直致力于高效叠瓦太阳能组件生产制造。
上周，中环股份以4.8亿元底价竞得东方环晟40%股权，成为其最大股东。这意味着，叠瓦技术将成为单晶龙头企业中环股份在组件端的
RecGroup对其存在侵权行为，可以看出，中国企业尤其要在高效铸锭多晶硅专利、三栅线专利、准单晶硅相关专利等方面加强知识产权布局。
337调查开始启动。
因此，光伏行业协会特别指出，需要加强知识产权布局，包括并不限于：
准单晶相关专利;
高效铸锭多晶专利;
三栅线专利;
两个事实概括光伏基本现状
1. 发展模式
;
5. 58.8%- 单晶硅片产量首次超过多晶，大硅片、N型产业化顺利，铸锭单晶成多晶翻盘唯一希望;
6. 中国11.4GW半年装机，预计50GW全年建设规模;全球47GW半年装机，预计
。 从目前来看，单晶产品转换效率持续提升，并且在PERC等技术的普及下，将转换效率提升到前所未有的高度，单晶占比也持续提升。而多晶在效率提升方面相对较慢，因此下游份额也在缩窄。当然，多晶未来将继续优化工艺技术，在黑硅、铸锭准单晶等领域持续革新，未来或将有所突破。
准单晶主要面临两个问题：位错和单晶率 主要以技术工艺角度来阐述，不涉及设备，希望给同仁们如何降低位错的得高单晶率带来一定思考 1、位错主要来源籽晶隐性裂纹，在长晶过程中会放大。 为规避装料过程
的边部红区，提高硅锭整体质量。 2.3铸造单晶技术 铸造准单晶硅由于其生产成本低于直拉单晶，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，一直是光伏行业研究的热点。铸造单晶是在坩埚底部铺设特定晶向的籽晶
源于半导体单晶，光伏行业硅片尺寸一直以来沿用半导体的晶圆尺寸6英寸，和8英寸(直径)，对应到硅片边长尺寸就是所谓的5寸片(125mm)和6寸片(156mm)。由于电池生产设备的进步和产出量提升的需求，5
寸片在光伏产业链中逐步退出，2012年后除了1-2家特殊电池制造商，125mm硅片就基本被市场淘汰了。
行业第一次尝试对硅片尺寸作微小增加是2015年，单晶硅片制造商将156.00mm的边长
由于BO-LID引起，其次是多晶PERC，准单晶PERC和单多晶常规BSF电池。在300小时测试后，多晶PERC光衰大于5%，多晶BSF约3%，铸造单晶约2%，最终单晶PERC衰减在1.5%左右，单晶BSF在1
