住友化学
上游，技术和资金壁垒较高。多晶硅位于光伏产业链最上游， 通过化学反应从硅金属中提炼高纯度多晶硅，以备下游进一步拉晶、切片形成光伏用硅片， 系光伏产业链初始原材料。从行业特征看，多晶硅具有化工行业属性
逼上游技术更新。太 阳能级多晶硅纯度要求约为 6N-9N，对产品中氧、碳、金属等各类化学杂质均制 定精确标准。纯度是衡量多晶硅产品质量的关键因素，杂质水平对下游拉晶环节具 有显著影响，因此多晶硅
比较知名的多是比较低调的京瓷，而对德山化学和住友三菱可能就比较陌生。但是，2012年11月陷入困境的赛维LDK的一则公告，又将业界、媒体和人们的目光拉回到五年前曾经火热和疯狂的拥硅为王的时代，也再次关注
再次更名，1998年合并进住友金属工业株式会社旗下，成为其分支之一。
再来看三菱部分。三菱进入这一领域稍微晚点，于1958年和1959年分别成立日窒电子化学和日本电子金属。 其1958年成立的日窒
。汽车业方面，日本汽车生产量超越美国和德国，是全球最大汽车生产国。有丰田、马自达、本田和日产等制造商，出产汽车行销全球。日本拥有世界资产最庞大的银行邮储银行，三菱UFJ金融集团、瑞穗金融集团和三井住友金融
方针。主要进口商品有：原油、天然气等一次能源、食品、原材料等;主要出口商品有：汽车、电器、一般机械、化学制品等。主要贸易对象是中国、美国、东盟、韩国、台湾、香港、德国等。
日本一介岛国，自明治维新后
，三井、住友等公司都是相继从政府买下官营企业来发展的。
在政府的扶植下，三菱很快羽翼丰满，1875 年，大久保利通要求刚刚成立五年的三菱公司开辟日本到上海的航线。结果，用了不到一年时间，美国太平洋邮船
、化学肥料、矿山等产业部门全面展开。到19世纪80年代，涩泽荣一成为日本工商业界最为引人注目的人物。
迅速向工业化迈进的日本，在学习先进技术的同时，也开始模仿西方的生活方式。公历取代了农历，元旦取代了
。早在2018年，捷佳伟创就取得日本住友重工RPD设备在中国大陆地区的独家授权，在此基础上通过全球引智、国际合作，深入进行了RPD设备的二次开发，成功推出了RPD5000A系列更适配于HJT的高性价比
HJT电池生产制造过程中，设备是整个流程环节中的重要一环。此次泰兴项目前，爱康长兴基地已经引进了捷佳伟创全线四道工序的整线设备，在关键工艺设备上实行了共同研发。双方聚焦等离子化学气相沉积镀膜设备
为系统工程，存在难度但潜力可期
(一)技术路线优势各异，降本提效殊途同归
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)指借助微波或射频波使腔室内的反应气体分子电离，形成的高化学活性等离 子体在基片表面
发生化学反应，沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积，薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层，钝化
，Hemlock、瓦克、REC、MEMC、德山、三菱、住友等七大厂商几乎垄断了全球多晶硅的技术和供应。
2004年，中国多晶硅的产量仅有可怜的60吨。彼时，全球七大多晶硅厂商总产量为24000吨，而
问题;与德国第三大化工企业欧洲德固赛公司合作，解决了多晶硅生产中所需三氯氢硅的生产工艺与技术问题。同时，项目由美国福斯特惠勒公司工程总承包管理，中国天辰化学工程公司工程设计与总承包。
在多晶硅环节
制备一层超薄氧化硅和一层高掺杂多晶硅，氧化硅的化学钝化和多晶硅层的场钝化作用可以显著降低晶硅表面少子复合速率，同时超薄多晶硅层可保证多子的有效隧穿;HIT 通过引入非晶硅本征薄层来提升单晶硅的表面钝化
工艺为 RCA 清洗或臭氧(O3)清洗。本环节的目的是去除机械损伤层、降低表面反射率、提高表面清洁度。
非晶硅薄膜沉积：常用的工艺包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)与热丝化学气象沉积
捷佳伟创 在获得住友重工授权以后进行研发制造，并实现了在通威产线上的应用。
目前用的较多的是PVD工艺(物理化学气象沉积)，采用直流磁控溅射制备，其制备的一般是ITO薄膜，PVD带来了离子高轰击，损伤
设备国产化状况进行分析。
①HJT的制绒和丝网印刷与 PERC技术相差不当。
②非晶硅薄膜沉积主要使用PECVD(离子体增强化学气相淀积)方法，目前国外主流厂家为Meyer Burge。国内厂家
：PERC 技术在常规 BSF 电池基础上增加背面钝化层 沉积和激光开槽两道工序，此外，针对背部抛光需对基于化学湿台的边缘隔离步骤稍作调整，即可实现传统 BSF 电 池产线向 PERC 产线的升级
元，仅为双氧水+氨氮工艺成本的一半左右，而纯臭氧工艺量产厂家还相对较少，但纯 臭氧工艺能够减少过氧化氢的使用，若能克服现有工艺缺点，则能够进一步降低化学品耗量。
本征非晶硅沉积是 HIT 电池制备
