主栅线

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金刚线切割+黑硅+PERC,高效多晶电池效率提升绕不过的三道坎儿!来源:摩尔光伏 发布时间:2017-06-28 23:59:59

最成熟的是多及密栅电池技术。本文结合黑硅的表面状态及背钝化技术进行分析,探讨组件功率提升的完全商业可行的技术。2.1黑硅技术简介造成常规多晶效率低于单晶效率主要为多晶酸制绒在(300-450nm

光伏组件的隐裂问题到底是什么鬼?来源:英利 发布时间:2017-06-27 00:01:28

片由于其自身晶体结构的特性,很容易破裂,隐裂可以说是一种较为常见的电池片自身缺陷。 隐裂会给组件带来什么影响? 电池片产生的电流主要靠表面相互垂直的线和细线收集和导出。如果隐裂导致细线断裂时

国家电投集团科学技术研究院高效晶体硅异质结光伏电池研究项目招标来源:索比光伏网 发布时间:2017-06-14 14:17:55

测量系统一套 太阳能电池测试台 一套 测试台温控单元 一套 探针排组气动驱动装置 一套 操作用电脑及I-V测量软件 一套 3BB/4BB/5BB 多电池测试用探针排 一套 3)其它配置
:直列式、批处理磁控溅射镀膜设备及铜锡沉积设备定制采购 适用硅片单晶硅片,硅片尺寸156.75mm156.75mm(对角线210mm),硅片厚度 100-180m 工艺路线:硅片加载预热(可选)预

“领跑者”引领光伏新征程来源:光能杂志 发布时间:2017-06-09 10:02:02

引领以及光伏上网电价下调政策 的倒逼下,为保持技术领先,降低度电成本,2015 年以 来,一线光伏电池及组件企业纷纷加大创新技术的产业化 投入和应用,金刚线切割、黑硅、PERC、多、半片、 叠瓦等

看热闹,懂门道:Intersolar 2017现场实录 [组件篇]来源:索比光伏网 发布时间:2017-06-08 14:15:56

了高效组件技术革新的步伐,展示出了诸多的高效组件产品。 02 多组件渐成主流 继今年3月份天合光能12组件获得首个德国莱茵TV认证之后,此次展会又有其他制造商展出了16和18组件。多

光伏组件隐裂是什么原因造成的来源:百度文库 发布时间:2017-06-06 23:59:59

组件功率输出。晶硅组件容易产生隐裂,薄膜和双玻组件抗隐裂性能较好。2,隐裂的表现: 二、组件隐裂的危害电池片中电流传输路径为:细线收集电池片产生的电流传导至线,再通过汇流带和接线盒引出。电池片的

【收藏】逆变器全面总结光伏人必看!来源:网络 发布时间:2017-05-30 23:59:59

有源逆变器;凡将逆变器输出的电能输向某种用电负载的逆变器称为无源逆变器。4.按逆变器主电路的形式分,可分为单端式逆变器,推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。5.按逆变器主开关器件的类型分,可分为
晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者,不具备自关断能力,元器件在导通后即失去控制作用,故称之为半控型普通

四大发明、中国书法 苏美达辉伦如何在Intersolar Europe上追寻不凡?来源: 发布时间:2017-05-27 16:37:59

,找出了一条属于苏美达辉伦(Phono Solar)自己的独特道路。我们发现,黑硅电池片在弱光下的表现要明显优于其他电池片技术,而MWT技术因为取消了电池片表面的线从而增大了受光面积,如果将这两种提升
),作为中国央企,与生俱来地拥有并传承了这一品质,并以自己的方式,用清洁能源产品为全人类创造福祉和价值。在展岛上,苏美达辉伦(Phono Solar)还用光伏组件的主辅材创意了四幅油画表现春、夏、秋、冬的

四大发明、中国书法 苏美达辉伦如何在Intersolar Europe上追寻不凡?来源:索比光伏网 发布时间:2017-05-27 16:28:32

其他电池片技术,而MWT技术因为取消了电池片表面的线从而增大了受光面积,如果将这两种提升电池片效率的技术合二为一,是否能起到1+12的功效?这一想法,在苏美达辉伦人的不断探索下成为了现实,苏美达辉伦
光伏组件的主辅材创意了四幅油画表现春、夏、秋、冬的四季更迭,这寓意了苏美达辉伦(Phono Solar)人,生生不息履行着造福人类的使命。 在产品的展示上,苏美达辉伦(Phono Solar

最全收藏 逆变器全面总结光伏人必看!来源:网络 发布时间:2017-05-27 00:16:21

电能的去向分,可分为有源逆变器和无源逆变器。凡将逆变器输出的电能向工业电网输送的逆变器,称为有源逆变器;凡将逆变器输出的电能输向某种用电负载的逆变器称为无源逆变器。 4.按逆变器主电路的形式分,可分为
单端式逆变器,推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分,可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型