丝网印刷线

比利时研究机构IMEC宣布，开发出了太阳能电池用50μm厚结晶硅晶圆的制造方法。其最大的特点在于，不同于以往用钢丝锯（线锯的一种）切割硅碇的技术，而是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，因此
”上首次发布该技术。 IMEC介绍了此次的硅晶圆制造方法。首先，在较厚的结晶硅晶圆上用丝网印刷机印制金属薄膜。然后，将其放到带式输送机上入炉，在高温下退火（烧结）。随着该晶圆的温度下降

　　比利时研究机构IMEC宣布，开发出了太阳能电池用50μm厚结晶硅晶圆的制造方法。其最大的特点在于，不同于以往用钢丝锯（线锯的一种）切割硅碇的技术，而是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，因此
”上首次发布该技术。 　　IMEC介绍了此次的硅晶圆制造方法。首先，在较厚的结晶硅晶圆上用丝网印刷机印制金属薄膜。然后，将其放到带式输送机上入炉，在高温下退火（烧结）。随着该晶圆的温度下降，金属层与硅层的

正是基于DEK提供的PVP1200丝网印刷机。毫无疑问，DEK已经做好了业务多元化的准备，并正在大步向半导体和太阳能领域进军。 灵活方案 走近DEK位于Semicon的展台，最为醒目的当属三台
China上宣布推出微米级的高端丝网印刷机Galaxy。此次展出的是配合DirEKt印刷技术的半导体植球方案。沈惠磐称，目前客户已经能够基于这台设备进行0.25mm、以及0.25mm以下直径（比如

)和进口设备并存但份额在逐步增大，3种(全自动丝网印刷机、自动分捡机、平板式PECVD)则完全依赖进口。 　　组件生产用的层压机、太阳模拟器等在行业获得广泛应用。 　　硅片加工设备中单晶炉以优良的
。国内尚没有平板式PECVD，另两种关键设备全自动丝网印刷机和自动分捡机由于核心技术无法绕开国外公司的技术专利封锁，尚未取得实质性突破，整体水平和国外差距较大，国内主要大生产线几乎全部采用了价格高昂的

)与国外尚有差距。 　　全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破，整体水平和国外差距较大，国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。 　　材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国际先进水平有差距
： 　　首先，设备研制与工艺开发要紧密结合。将设备研制单位的设计与用户单位的工艺研究联系起来，使一些高水平的工艺技术和设备研制相结合，建立工艺示范线，形成设计、制造、工艺开发、设备开发与改进的联合局面

程度(自动装卸片)与国外尚有差距。 　　全自动丝网印刷机在核心技术上无法取得突破，整体水平和国外差距较大，国内生产线几乎全部采用了价格高昂的进口设备。 　　材料生长设备中的单晶炉在技术性能上虽然与国
几个发展策略： 　　首先，设备研制与工艺开发要紧密结合。将设备研制单位的设计与用户单位的工艺研究联系起来，使一些高水平的工艺技术和设备研制相结合，建立工艺示范线，形成设计、制造、工艺开发、设备开发与

。其它环节的差额部分需要进口，如电池片、硅锭∕硅片，配套材料等，如图5所示。 产业设备设计水平和制造能力落后。多晶硅铸造炉、线锯、破锭机完全需要进口；PECVD氮化硅沉积设备、丝网印刷机、电池片
国际市场推动下，一批电池生产线、组件封装线、晶硅锭∕硅片生产线相继投产和扩产，使我国光伏产业的能力有大幅度上升，我国光伏产业进入全面快速发展时期。截止2004年底，我国光伏产业总的年生产能力为：组件

极为广阔。 3.1薄膜材料的制备方法 制备CdTe薄膜方法主要有：（1）CsS，（2）电镀，（3）丝网印刷，（4）化学气相沉积CVD，（s）物理气相沉积PVD，（6）MOCVD，（7）分子束
研究组织。所有高效CdTe／CdS太阳电池都采用上覆盖器件结构。下面详细介绍几种制备方法和电池性能。 3．5．1 丝网印刷烧结法 丝网印刷烧法具有工艺简单，生产

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
电池，在发射结扩散后，用激光在前面刻出20μm宽、40μm深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积。电池背面与PESC相同，由于刻槽会引进损伤，其