型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n 异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻
中国上海电气集团有限公司宣布,它在迪拜的700兆瓦Noor Energy I塔槽式聚光太阳能 (CSP) 项目建设中取得了几个关键里程碑。
这家中国公司是Noor Energy I的工程、采购和 说。
950兆瓦Noor Energy I项目以推动该项目的财团命名,是Mohammed bin Rashid Al Maktoum太阳能公园的第四阶段。Noor Energy I的投资者包括