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缓冲和势垒层沉积。 SoLayTec将会提供用于c-Si太阳能电池InPassion工具的ALD喷嘴头技术，SmitOvens将通过SollianceCIGS/CZTS项目扮演机器集成商和客户合同
导读： SmitOvens、SoLayTec和Solliance三家公司将合作开发一个联合研发项目，旨在将原子层沉积(ALD)与大面积衬底相结合，提供生产工具技术改进薄膜光伏组件包括CIGS的缓冲

。 (3)前者在离子注入后会形成n+/p+c-Si，而后者无该掺杂技术的使用，不会形成p+/n+c-Si。与a-Si:H/a-Si异质结相比，多晶硅/c-Si结的饱和电流密度和接触电阻更低，且其载流子
的提高使得其体复合越来越小，新型钝化层及其制备技术的发展使得表面复合大幅降低。其中，金属电极与c-Si接触处的复合成为影响电池效率的关键因素，被认为是接近理论极限效率的最后一个限制因素。为减小金属与

协鑫集成拟非公开发行不超过10.12亿股股票，募集资金不超过50亿元，用于投资大尺寸再生晶圆半导体项目、C-Si材料深加工项目、半导体晶圆单晶炉及相关装备项目等。光伏行业专家认为：协鑫集成开始寻求
在第二主业布局，是可以防范光伏行业波动带来的风险。但是半导体行业技术、装备都存在劣势，未来前景如何，还需要市场来检验。随着光伏产业红利日渐减弱，协鑫集成(002506，SZ)开始寻求在第二主业

必然选择。因此，C-Si材料深加工项目以及半导体晶圆单晶炉及相关装备项目产品均具有良好的市场空间。分析人士认为，协鑫集成目前的光伏组件及EPC主业在技术、市场及运营管理等方面已形成核心竞争力
12月7日晚间，协鑫集成发布了非公开发行股票预案，公司拟向不超过10名对象非公开发行不超过101，248万股股票，募集资金不超过50亿元，用于投资大尺寸再生晶圆半导体项目、C-Si材料深加工项目

中国科学院宁波材料技术与工程研究所高平奇光伏科学界和工业界致力于简化器件结构和制造工艺的研发，以期通过技术创新带动生产成本的快速下降。与传统高温扩散技术相比，采用MoOx PEDOT：PSSS

组件制造商的研发支出进行分析，但本报告和后续报告对研发总支出进行了分析。以协鑫为例，分析包括了保利协鑫能源(多晶硅和多晶c-Si硅片)和协鑫集成科技(电池和组件)。以隆基为例，研发支出报告包括了单晶
c-Si硅片和子公司隆基乐叶(电池和组件)。通威的支出分析包括多晶硅、电池和组件。虽然新入选公司的组件产能各异，但新日光能源、茂迪股份、昱晶能源和Solartech历来都专注商业电池生产。因此

转换效率达到了19.1%，背面转换效率为18.1%。世界各国研究人员陆续在钝化、丝网印刷、掺杂扩散等技术方面取得进展，实现了双面光伏组件的工业化生产。目前市场上的双面光伏组件主要有单晶 n型双面
制备发射极，磷扩散掺杂制备n+ 背场。由于n+ 磷背场代替常规p 型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。同时，组件

摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展，硅片的厚度不断降低，电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用，以及几种晶体硅电池表面钝化方法，包括
等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池

在IHS Markit提供的生产和产能数据基础上，《光伏杂志》对2017年前十大晶体硅组件制造商进行了总结，并观察了影响供应链景观的市场力量和技术趋势。天合光能保持了其作为第二大组件生产商
组件价格和较高的材料成本是利润下降的主要原因。 2017年的前五大制造商而言相对比较稳定，但英利能源仅排在了第九位。公司的净亏损为5.1亿美元，总负债为32亿美元。技术趋势原先排名第九的隆基

，从而评估长期耐用性或失效性测试的范围。表3总体简要介绍了各项测试以及各项测试所适用的PV工艺技术。三选定测试的详情下述章节探讨了PV组件的选定可靠性测试，并展示了其在评定PV组件可靠性时的潜在
薄膜技术而言。除了这些限制外，电性能测试还可用于考察与组件可靠性相关的下述几个方面： 1)确定由于预处理所导致的初始功率损耗 2)生产电性能列表的验证 3)铭牌额定值验证这三个因素对于

存在差异，其原因在于材料的不同，薄膜太阳能电池采用了不同的化合物。传统的太阳能板用的是晶体硅(C-Si)，这项技术已经发展多年，比较成熟可靠。值得注意的是，虽然C-Si具有较高的能量
就会在被遮挡部位产生局部过热或热斑现象。为避免此因素降低光伏组件性能，这就要求施工项目部在施工前做好技术交底工作，施工过程中加强对工程质量的抽查力度，只有这样才能防止此种情况对组件寿命产生影响

总部位于中国的光伏薄膜设备和组件生产商汉能薄膜发电集团有限公司(Hanergy TF)于2017年创建了一个全新的商业模式，具体表现为：公司为新产业园提供a-Si，CIGS，GaAs和c-Si
异质结(HJ)一系列交钥匙生产线产品组合以利地方政府使用太阳能技术并吸引其他高科技公司进入新产业园。汉能薄膜在2017年财务报告中指出，公司子公司汉能移动能源控股有限公司在当地政府规划的名为产业园项目

今年光伏资本支出主要受中国对整个c-si价值链的投资驱动，同时领先光伏制造商们正在实施多吉瓦 (5-20 GW))扩张计划。自2013年起，光伏光伏资本支出年年增长， 2018年支出预计会超
支出增长。今年光伏资本支出主要受中国对整个c-si价值链的投资驱动，同时领先光伏制造商们正在实施多吉瓦 (5-20 GW)产能扩张计划。除了First Solar(及其薄膜光伏资本支出)外

我们对整个c-Si价值链的生产商进行自下而上的追踪以及为所有影响组件效率和硅片厚度的变量分配电池技术。分析通过硅片制备、铸锭和最终达到多晶硅g/W水平获得了空前详尽的信息，而业内一贯采用的是自上而下
在数项同时运行的因素驱动下，这一切都已经改变了。这篇文章解释了我们的研究团队开发的一个新模型，该模型考虑了影响材料效率的各项关键因素并能够进行精准预测。介绍光伏技术的新多晶模型新分析的核心内容是

的技术投资阶段。光伏资本支出(capex)覆盖了价值链上从多晶硅、铸锭到组件的各阶段。2017年资本支出近80亿美元，几乎是五年前的四倍。此外，从c-Si到薄膜制造的变化速度非常快，包括p型、n型
、单晶和多晶工艺流程。2018年3月13日至14日，PV CellTech 2018大会将在马来西亚槟榔屿召开。会上将简要介绍并讨论驱动光伏技术进步的所有核心议题。多位令人尊敬的行业制造技术专家将出席大会

指标（LOCE和IRR），是光伏电站最终追求的目标，电站配置再高、技术应用再先进、发表量再多，但是电站成本很高，度电成本并不具有优势，光伏电站系统的经济性就会变的很差。能量效率是跟资源条件差异没有关系
定量化出来。影响整体PR值得14项影响因素和判定指标光伏组件光谱失配损失的量化光谱适配损失，非晶硅(a-Si) 和碲化镉(CdTe)组件对于光谱分布很敏感，需要进行光谱修正，对于晶体硅(C-Si)和

索比光伏网讯:1、nPERT双面电池技术背景近年来，N型硅太阳电池由于其优越的性能，包括高的体寿命、对金属杂质高的容忍度以及没有P型材料中由于硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应
，越来越受产业界的关注。最新的光伏国际技术路线图2015中显示，到2020之前，预测可实现低成本批产平均效率大于23%的均为N型电池；到2021年，N型电池市场占有率将超过30%，而nPERT双面电池的高发

。传统的太阳能板用的是晶体硅（C-Si），这项技术已经发展多年，比较成熟可靠。值得注意的是，虽然C-Si具有较高的能量转换效率，但是实际吸光效率较差，这就意味着太阳能板必须足够厚，才能提高实际效率
。与此不同的是，薄膜技术可以混搭多种元素，比传统太阳能板薄350倍左右，通过在玻璃、金属、塑料等材料表面镀膜或者沉积就可以制备太阳能电池面板。这样，不同类型的材料对光能可以充分利用，提高效率。薄膜太阳能