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项目之一，其旨在突破大型光伏电站直流升压汇集接入关键技术，研制大功率、高变比光伏直流升压变流器、成套控制保护系统、系统及装置仿真测试平台，探索基于宽禁带器件的新型光伏直流升压变流模块技术。据悉，这一
技术研究项目，通过科研最终将研制六种关键装备，具体为：30kV/1MW和串联型20kV/500kW两种技术规格的光伏直流升压变流器、30kV/5MW DC/AC换流器、成套控制保护系统、基于SiC

；采用低风阻风道设计，更有利于元器件散热；双并联离心风机智能调速技术，1+1备份冗余延长风机使用寿命。中天昱品坚持技术创新来降低系统成本避免同质化恶性竞争，组串式逆变器采用SiC技术，集中式逆变器采用
逆变器、1500V单机1M集中式逆变器、5kW户用储能变流器、500kW储能变流器。在逆变器散热技术方面，突破性引入液冷散热技术，使逆变器核心器件IGBT温升比传统铝型材散热器方案降低15-20摄氏度

Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设
（1EDI05I12AH）、2A（1EDI20I12AH）、4A（1EDI40I12AH）和6A（1EDI60I12AH）的不同型号。这些器件的典型延迟为300纳秒。对于速度更高的应用，1EDI20H12AH和

City的新组件可增加30-40%的发电量，而且适应高温的能力也得到加强；比如在能源的转化领域，作为第三代半导体材料的宽禁带SiC器件在击穿电场、电子饱和速度、热导率等方面，比硅基材料具有明显优势，由此
带来了器件性能的大幅度提升，进而推动电力电子技术的重大进步；比如在能源的存储领域，由于石墨烯材料具有超薄、超轻、超高强度、超强导电性、优异的室温导热和透光性等特点，采用多层碳基石墨烯薄片制备锂电池的阳极

硬件高速发展 SiC、CAN、性能优异的DSP等各种新型器件和新型拓扑的应用，促使逆变器的效率不断提高，目前逆变器的最大效率已经达到99%，下一个目标是99.5%;中国效率已经达到A级，下一个目标是
降低，以适应安装维护困难的复杂应用环境。阳光电源的40KW组串式逆变器已经做到了39kg，是目前业内最轻的40KW产品。。在散热方面，阳光电源一直坚持智能风扇散热的方式，以进一步降低内部元器件的温升

：逆变器硬件高速发展SiC、CAN、性能优异的DSP等各种新型器件和新型拓扑的应用，促使逆变器的效率不断提高，目前逆变器的最大效率已经达到99%，下一个目标是99.5%；中国效率已经达到A级，下一个目标是
困难的复杂应用环境。阳光电源的40KW组串式逆变器已经做到了39kg，是目前业内最轻的40KW产品。。在散热方面，阳光电源一直坚持智能风扇散热的方式，以进一步降低内部元器件的温升，提升逆变器在高温环境

在以下六个方面。趋势一：逆变器硬件高速发展 SiC、CAN、性能优异的DSP等各种新型器件和新型拓扑的应用，促使逆变器的效率不断提高，目前逆变器的最大效率已经达到99%，下一个目标是99.5
方式，以进一步降低内部元器件的温升，提升逆变器在高温环境下的过载能力。所采用的风扇防护等级为IP65，寿命可以达到7万小时，同时风扇可以提供20年的质保。趋势四：组件级产品（MLPE）越来越丰富

，目前大多数的半导体材料都是单晶硅，长期以来，我国的单晶硅主要依靠进口。相比单晶硅，碳化硅材料的制作和应用则一直很困难，当前世界上研发碳化硅器件的主要有美国、德国、瑞士、日本等国家，但直到现在碳化硅的
速度。除此之外，在具体的应用上，虽然碳化硅器件的工艺难度比单晶硅大很多，但是一旦解决工艺问题，碳化硅器件制造流程短，体积重量小、抗氧化寿命长、输出功率高的特点，将使其成为远优于单晶硅的21世纪理想

。　　目前在硅材料的生产制造过程中大量使用石墨制品。其中，石墨制品在直拉单晶硅工艺中应用尤为典型。据不完全统计，我国现有工作状态的单品炉超过2000台左右。其中直拉单晶炉用以生产硅半导体器件所需的
/C坩埚接触，以防SiC的生成，因而采用了组合式坩埚。制造高纯度C/C复合材料坩埚的流程很长，从原材料的选择、准备、坯体的制造、增密、纯化、热处理等等, 生产工艺过程长。图2中列出了坩埚制备的一般生产

通过了 UL、VDE、SAA、TUV 等认证，ADI 可为客户提供有安规保证的产品。高效率功率器件：采用东芝超低 Rds（on）功率 Mos 及 SiC 整流二极管。2.大联大世平基于 TI C2000
关键词：ADSP-CM408C2000微型逆变器TIADI2015年2月5日，致力于亚太地区市场的领先电子元器件分销商大联大控股宣布，其旗下世平推出分别基于ADI和TI为主芯片的两套高性能太阳能