全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的引脚可简化PCB设计，实现低阻抗电源。与英飞凌EiceDRIVER?产品家族的其他成员一样，1EDI Compact 300 mil驱动基于英飞凌的无芯变压器技术。最新推出的驱动IC能实现最大6 A的输出电流。
产品信息与上市时间
该IC能在独立的灌电流和拉电流输出引脚分别提供驱动电流0.5A（1EDI05I12AH）、2A（1EDI20I12AH）、4A（1EDI40I12AH）和6A（1EDI60I12AH）的不同型号。这些器件的典型延迟为300纳秒。对于速度更高的应用，1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延迟有所缩短，只有120纳秒，非常适合于当今和未来的基于SiC-MOSFET的应用。另外三个型号（1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH）配有一个集成的米勒钳位，可提供相应的输出电流1A、2A和3A等规格。
2016年6月计划批量生产1EDI Compact 300 mil门级驱动IC。目前提供工程样品和评估板。
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