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由2016年的不足21%提升到目前的23%以上，采用的技术主要包括低阻硅片，激光选择性发射极，正面高阻密栅等;PERC电池效率仍有进一步提升的空间，两年内有望提升到23.5%以上的量产效率。N型
推动光伏行业高质量发展。中国可再生能源学会光伏专委会副主任、中国绿色供应链联盟光伏专委会主任沈辉教授光伏与建筑可以实现完美结合，太阳能电池将成为最具魅力的高档

异质结(HJT)之外，光伏业内另一项N型高效电池技术热度陡升。对，就是它，TOPCon!业内常言TopCon、HJT之争，猜测二者谁将接棒PERC。不过有光伏龙头向记者表示，业内或将有新的技术
公开，未来谁主天下尚不可知。近日有研究指出，光伏电池技术路线方面，2021年将开启P型向N型迭代的趋势，迈向更高效率台阶，以TOPCon、HJT为代表的N型技术路线陆续取得突破，产业化进程有望提速

(Heterojunction，HJT)：由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶体硅片正反两面依次沉积厚度为
。 1) TOPCon 电池采用 N 型硅片，需要在 PERC 产线上增加硼扩设备，背面的 SiO2隧穿层和掺杂多晶硅层，分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积) 中

外，青海省内的光伏智能工厂200兆瓦N型电池项目已投产，青海亚洲硅业半导体有限公司年产3万吨电子级多晶硅项目一期工程去年开工。一系列光伏产业项目的落地投产，将助推青海光伏产业集群加速壮大，成为当地特色支柱产业。
太阳能电池的主要原材料。青海地处青藏高原，光伏资源优渥，全省太阳能可开发量超过30亿千瓦。近年来，青海陆续出台《青海省太阳能综合利用总体规划》《青海省创建国家清洁能源示范省实施方案》等一系列规划

，90%以上的产品能满足P型单晶和N型单晶需要，部分达到电子级半导体硅材料质量标准，实现了高纯晶硅中国制造，彻底改变全球高纯晶硅行业竞争格局。预计到2021年公司产能将突破16万吨/年，进一步巩固
太阳能电池片生产、到终端光伏电站建设与运营的垂直一体化光伏企业，形成了完整的拥有自主知识产权的光伏新能源产业链条，并已成为中国乃至全球光伏新能源产业发展的核心参与者和主要推动力量。公司创始人刘汉元系

硬件成本下降的降本，边际难度越来越高。随着 PERC 转换效率逐渐接近天花板，电池片厂商开始相继布局具有更高效率，更低衰退率，更高发电量的 N 型太阳能电池技术，例如隧穿氧化钝化接触
下的增长性确定。2020年底全球的光伏装机大概是130GW，预计2025年应该可以达到300GW甚至350GW，就是翻两番。前几年，光伏是政策或者补贴驱动型的，就有所谓的抢装这些事情，每年的需求

主流趋势。其次是PERT，是一种全扩散背场钝化结构，通常PN结在正面，结构比较简单，是最早的N型电池，是天然的双面结构，双面率可以达到8095%，但是在量产效率和成本上，这两年已经不具备优势
。大部分厂家在考虑技术升级，其中的一种升级方案，就是Topcon结构。 Topcon是一种钝化接触结构，基本原理是在N型硅片背面沉积一层很薄氧化硅，然后再沉积一层重掺杂的多晶硅薄膜，实现背面的钝化接触

超过半。未来，单晶硅市场占比将进一步提升，其中N型单晶硅片的市场规模也将逐年扩大。数据来源：中商产业研究院《双循环专题2021年中国光伏产业市场前景及投资研究报告》预计产业化
将会进一步扩大到30%，单晶硅片将完成金刚线切割的替代;PERC电池、N型电池规模化生产能力进一步提升;组件叠片、半片等先进封装技术的应用范围也将进一步扩大。 10、能源新技术突破与能源互联网

，迈为股份和捷佳伟创的成长受益于PERC电池时代的需求爆发，并因致力于研制未来新一代N型光伏电池HJT设备等，当下备受资本市场追捧。记者还注意到，二级市场上多个设备个股还出现了诸多机构身影。东方财富
不少问题。一个N型电池企业负责人也告诉记者，原来有投资HJT电池技术的企业，目前也转型做了PERC电池，亏不起。因此，在贾锐看来，像光伏电池设备企业的增长空间，更多来自基于PERC电池技术的设备增量

，未来几年单晶硅电池市场份额逐步增大。2018年单晶硅片市场份额已超40%，2019年超过半。未来，单晶硅市场占比将进一步提升，其中N型单晶硅片的市场规模也将逐年扩大。 3、硅片
棒、切片等环节，中游包括太阳能电池生产、光伏发电组件封装等环节，下游包括光伏应用系统的安装及服务等。目前，中国光伏产业经过多年发展，产业链完整，制造能力和市场占比均居全球第一

，电池片厂商开始相继布局具有更高效率，更低衰退率，更高发电量的N型太阳能电池技术，例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon)，异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时，设备厂商正在布局
的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征