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MOSFET和IGBT产品货期最长达52周，高压MOSFET货期也达到26至40周，价格呈上涨趋势。此外，包括安森美、Microsemi、罗姆、安世在内的功率半导体厂商，旗下
IGBT、二极管、晶体管、低压MOSFET、整流器等众多产品的供货周期都达到了16至52周，而这些功率半导体正常的供货周期基本在8周左右

用来制造不宜用硅制造的器件。MOSFET在开关应用中受到青睐，因为它们是单极器件，这意味着它们不使用少数载流子。硅双极型器件既使用多数载流子又使用少数载流子，可以在比硅MOSFET更高的电压
下工作，但由于它们在开关时需要等待电子和空穴重新结合以及耗散重组能量，因此其开关速度变慢。硅MOSFET广泛用于高达约300 V的开关应用中，高于该电压时，器件的导通电阻上升的程度使设计人员不得不转向速度

中国化合物半导体全产业链制造平台三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80m产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器
。本次推出的1200V 80m 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有更高、更快、更强的特性更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得

度电成本是至关重要。采用第三代半导体材料功率器件的光伏逆变器产品，可将峰值转换能效提升至98%以上，助推光伏平价上网。更小体积、更高效率，鱼与熊掌兼得从内部测试结果来看，碳化硅MOSFET管开关损耗远
低于硅MOSFET，应用碳化硅SBD与硅IGBT的混合功率模块恢复能耗也大大降低。同时更高的工作频率，也能大量减少无源器件数量，从而缩小系统体积30%以上，提升功率密度。降低间接成本，同时更加可靠

输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林、李寒江、解宝、李海啸、聂莉，在2019年第20期《电工技术学报》上撰文指出(论文标题为SiC MOSFET的Saber建模
及其在光伏并网逆变器中的应用和分析)，SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势，但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后，由于开关振荡的存在，可能导致高频下的

转换工作，长时间工作在高温，高电压，大电流状态，是逆变器最容易出故障的器件，每一个功率器件就是一个故障点。光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率MOSFET和功率模块IGBT。早期的中功率组串式
逆变器，一般采取分立器件，由于功率MOSFET电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。50KW逆变器采用分立器件来设计，需要60多个，这么多开关器件堆在一起，会产生一系列的问题。如均流，电磁干扰

和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。每四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅控制的
晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管。碳化硅

。功率开关的两个选择是MOSFET和 IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式下体
二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600V 变化到1200V时，MOSFET的传导损耗会大大

转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选者使用600V还是1200V的器件。功率开关的两个选择是MOSFET和IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。此外
，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式下体二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面

控制器。 MPPT的功能 MPPT控制器主要功能：检测主回路直流电压及输出电流，计算出太阳能阵列的输出功率，并实现对最大功率点的追踪。扰动电阻R和MOSFET串连在一起，在输出电压基本稳定的条件下
，通过改变MOSFET的占空比，来改变通过电阻的平均电流，因此产生了电流的扰动。同时，光伏电池的输出电流电压亦将随之变化，通过测量扰动前后光伏电池输出功率和电压的变化，以决定下一周期的扰动方向，当扰动方向