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高效硅基光伏电池、钙钛矿太阳能电池等新一代高效低成本光伏电池制备及产业化生产技术，研发光伏逆变器及绝缘栅双极型晶体管等新型太阳能光伏组件，研发、推动太阳能光伏板提效降耗新技术及光伏-光热-地热集成
绿色低碳转型支撑技术风光新技术。提高风光资源预测准确度和风光发电功率预测精度，提升风电、光伏发电主动支撑能力和适应电力系统扰动的能力;探索高效硅基光伏电池、钙钛矿太阳能电池等新一代高效低成本光伏电池制备及

为产业生态新格局。三是光伏将深度嵌入新型电力系统建设，形成电网互济、源网荷储平衡发展、光储氢醇氨、光储充换算检云一体化的耦合新路径。光伏与CCUS、海上风电、长时储能、大功率IGBT等技术互嵌，与建筑
+防沙治沙+特高压通道外送+零碳工业就近消纳”，为“四新一强”的新型能源体系探索路径。OpenAI让万象新生，也催生巨大的能源需求。到2030年算力大概将消耗全球五分之一的电力。硅基光伏搭配锂基储能

。积极招引钠离子电池用金属层状氧化物正极材料企业。2.负极材料制造。研发快充、高电压碳负极材料。开展新一代硅基负极材料(硅碳/硅氧负极)制备工艺攻关，优化包覆工艺，缓解嵌锂过程体积膨胀等问题，推动硅基
IGBT、传感器敏感元件、传感器器件等相关龙头企业。强化装备制造环节。依托海目星(江门)激光智能装备有限公司提升从配对、超声到激光焊接等电池总装段自动化装备制造水平，提升锂电池全套自动化设备生产能力，增强

模块紧缺就开始直接影响到光伏逆变器、电动汽车的生产。安森美(onsemi)CEO Hassane EI-Khoury在接受媒体采访时表示，公司在全球的生产基地都在不断增加硅基IGBT的产能，从8英寸
、首航新能源、易事特、艾罗能源等逆变器厂商的代表齐聚深圳，共同参加了在安森美深圳工厂举办的可再生能源模组产能扩产庆典。众所周知，功率器件、模块是决定光伏逆变器工作效率的重要部分。从2020年起，IGBT

地区外商投资优势产业目录：山西省：25.光伏太阳能发电站的集装箱式储能箱的设计和制造黑龙江省：22.硅基及光伏新材料开发、生产安徽省：32.组件零部件胶膜（EVA）、光伏玻璃、背板、接线盒等基础材料制造江西省：32.
≥80%），车用DC/DC（输入电压100V～400V），大功率电子器件（IGBT，电压等级≥750V，电流≥300A）；插电式混合动力机电耦合驱动系统；燃料电池发动机（质量比功率≥350W/kg

新型储能电池开展储能电池容量、倍率性能和寿命等关键技术的应用基础和工程化研究，加快高能量密度硅基负极锂离子电池研制，突破高性能固体电解质制备技术，提升电池电芯、储能变流器、储能系统集成和能量管理等产业集聚化
的开发与应用。(三)开展光电器件核心技术攻关突破硅基光电异质集成技术，加强硅光芯片、异质集成材料及器件的研发，推动硅基无源器件、锗硅探测器、硅调制器等产品应用。实施重点产品高端提升行动，发展高速光通信

IGBT和MOSFET，用于功率变换，IGBT功率较大，主要用于中大功率逆变器，MOSFET功率较小，主要用于中小功率逆变器;IC芯片包括微处理器，如MCU(单片机)、DSP(数字信号处理)、ARM
光伏逆变器高度依赖于电力电子和微电子技术的发展，特别是半导体开关器件，以及微处理器。目前核心元器件(主控IC芯片、IGBT模块等)基本都还是国外的产品，近年来国内也涌现了许多的新产品、新技术，在核心元器件

赛道中激烈的角逐。从行业发展角度与能源利用率来看，碳化硅光伏逆变器有望替代传统的硅基光伏逆变器，并成为行业发展的重点。据了解，使用碳化硅功率器件的光伏逆变器在系统转换效率方面能够很好的保持在96
早已嗅到碳化硅带来的商机，并依托在硅基功率器件领域的决定性优势，大力发展碳化硅功率器件。截至目前，英飞凌在碳化硅领域已经积累了将近20年的研发经验，于2002年英飞凌推出了业界首款碳化硅的肖特基级

集中式逆变器的主要原因在于成本高昂，单机最大功率也受到功率器件、线路布置等限制，但得益于上游IGBT和MOSFET等核心元器件的迭代升级，叠加功率模块技术不断发展，组串式逆变器单机功率密度不断提高，价格
加速光伏逆变器市场爆发。与光伏组件25-30年使用寿命不同，光伏逆变器所使用的IGBT等电子元器件的使用寿命普遍为10-15年，因此在光伏电站运行周期内至少需要更换一次逆变器，2010年时全球光伏

缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差
和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。每四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅控制的

碳化硅也有缺点，限制了它的应用范围，一是电流较小，迄今为止SiC MOSFET和肖特基二极管的最大额定电流小于100A，大功率逆变器用不上;二是产能不足，价格还比较贵;三是稳定性和硅基IGBT相比还差
开关损耗小和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。第四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅

《2016年工业强基工程合同书》，主要内容为形成电力电子器件用8英寸高阻区熔中照硅单晶圆片的生产能力，满足国内600V~6.5kV的IGBT生产的需求。据悉，本项目的实施将进一步提升中环股份区熔硅单晶技术的
，推动国内相关的新型电子电力器件、节能型功率器件等产业的发展，实现高端材料的规模化生产，增强我国功率器件用硅基材料国际竞争力，进一步拓展国际市场，对提升我国8寸区熔硅单晶的中照水平起到巨大的推动作用。

孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
(insulated-gatebipolartransistor，简称IGBT)，特别是在高压高温的条件下。这就为改善光伏逆变器效率提供了一个可行之路。逆变器及其相关标准MPPT效率，即在一定时间内，逆变器由