增强、更有效的ITO功函数的调节和掩埋界面钝化。因此,采用CbzBT的冠军器件表现出24.04%的出色功率转换效率
(PCE)、84.41% 的高填充因子以及提升的稳定性。这项工作证明了在SAM packing patterns in single crystals of the π-scaffolds
of a) CbzPh (7H-benzocarbazole), b) CbzBF
测量的J–V曲线。(b)
IPCE图谱和相应的积分电流。(c) 在一个太阳光照射下(AM 1.5G)最大功率点的稳定功率输出。(d) 基于20个器件的效率分布图。图3a表明TCP基器件获得了 11.50 mA cm‒2的短路电流Jsc,优于DCP基器件(10.69 mA
cm‒2)。IPCE谱图(图3b)进一步表明TCP基器件在350-600波长范围内具有更高的IPCE值。TCP基器件获得高