光伏咨询搜索-索比光伏网

国产化的一年，预计到2021年HJT设备成本可达4.8亿元/GW，2025年设备降本将至4亿元/GW。从HJT原材料成本分析来看，RPD靶材在2019年经过批量国产和验证后成本大幅降低，在经过规模化
生产后成本有较大的下降空间，预计PVD靶材单耗将在2021年达135mg/pc，2025年降至122mg/pc;低温银浆耗量2021年达160mg/pc，2025年降至100mg/pc。整体来看，预测

主要有PVD和RPD两种，相较于PVD，应用RPD工艺的HJT电池转换效率略高，然而受制于核心部件依赖进口且专利保护严密、靶材供应商少且成本较高、设备来源单一等问题，RPD并没有成为主流。 12月23日
定的量产。RPD5500A还结合新一代的靶材技术和工艺，载子迁移率已经超过150，带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率、更优的导电性，从而缓解HJT电池的低温银浆消耗量大的痛点

HJT设备成本可达4.8亿元/GW，2025年设备降本将至4亿元/GW。从HJT原材料成本分析来看，RPD靶材在2019年经过批量国产和验证后成本大幅降低，在经过规模化生产后成本有较大的下降空间，预计
PVD靶材单耗将在2021年达135mg/pc，2025年降至122mg/pc;低温银浆耗量2021年达160mg/pc，2025年降至100mg/pc。整体来看，预测2021年异质结电池成本将降至0.9

到一起，却也并不容易。同类企业之间互有技术壁垒，而如浆料、靶材等企业，在电池厂家那里得到的测试结果，也往往只是一个通知：yes or no。终于，有政府决心搭建这样一个开放共进的生态平台。2016年
。异质结设备昂贵，一条线花费高达数亿元，中小企业根本无力负担，有这样一个平台后，产业对异质结的积极性有效的被调动起来，已有多家设备、浆料、靶材企业表示愿意入驻平台，进行联合创新。暗室逢灯,绝渡逢舟

技术路线如何选择，又如何提升技术水准。透明导电膜是HJT电池制备的第三道核心工序。目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用经过加速的高能粒子轰击靶材，使
靶材表面的原子脱离晶格逸出沉积在衬底表面发生反应而形成薄膜;RPD 法利用等离子体枪产生氩等离子体，氩等离子体进入生长腔后，在磁场作用下轰击靶材，靶材升华形成蒸气实现薄膜沉积。PVD 技术的优势

制造：制造企业不断解决电池、组件问题，同时大力开辟下游终端市场;HJT材料：银浆企业、靶材企业等企业推出匹配HJT的创新产品。未来1-2年内，在同样的硅片尺寸条件下，HJT的单W成本会不断逼近
%，银浆消耗量下降50%，靶材用量下降60%等，2021年降本仍将持续，产业推进势头将会更加强劲。 2019-2020年：资源投入开始成果兑现，HJT从泡沫破灭期走向复苏期，设备企业开发

制造：制造企业不断解决电池、组件问题，同时大力开辟下游终端市场;HJT材料：银浆企业、靶材企业等企业推出匹配HJT的创新产品。未来1-2年内，在同样的硅片尺寸条件下，HJT的单W成本会不断逼近
50%，银浆消耗量下降50%，靶材用量下降60%等，2021年降本仍将持续，产业推进势头将会更加强劲。 2019-2020年：资源投入开始成果兑现，HJT从泡沫破灭期走向复苏期，设备

，异质结电池非硅成本的临界范围约在0.4-0.5元/W。目前异质结电池非硅成本水平大致位于0.6-0.7元/W区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计9BB多主栅工艺对银耗的降低可
节省非硅成本0.05-0.06元/W;SmartWire技术和低温银浆的国产化则有望进一步降低银浆成本。设备方面，全部国产化预计可降低折旧成本约0.05元/W;靶材方面单耗和价格的下降预计可降低成本约

潜力可期。 PVD：国产化降本空间相对有限，靶材优化料助力提效 PVD 整体工艺较为成熟，难度低于 PECVD，各家设备厂商在技术端差异不大，单台设备产能已实现较高水平，且基本已处于半国产化状态
，国产化降本空间相对有限。产能提升并非 PVD 设备向上优化的瓶颈，努力方向在于改善 TCO 薄膜透光性、均匀性、传导性等指标进而提升电池转换效率，未来靶材的创新优化或助力进一步突破效率瓶颈