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5月28日，2018年上海国际太阳能光伏展(SNEC)期间，隆基股份全资子公司乐叶光伏重磅发布双面半片PERC组件新品Hi-MO3。这是继2016、2017发布单晶PERC低衰减组件Hi-MO1
，组件功率平均提升5-10W。同时叠加双面技术，组件正面功率达到320W(60型)，组件双面率大于75%。阴影遮挡时，Hi-MO3比整片组件阵列具有更高的发电量。此外，Hi-MO3产品还具有热斑温度更低

的温度特性，功率温度系数-0.32%/℃;并且在原材料方面采用N型硅片作为衬底，使得产品具备无光致衰减的优点，为用户带来更好的投资收益。 02 晶澳Shingle PERC叠片组件
栅单晶PERC组件晶澳MBB多主栅单晶PERC组件多主栅互联结构外表美观精致，具备更低的遮挡和电阻损失，能够产生更高的功率输出;同时具有优越的温度特性，组件功率温度系数-0.36

PERC组件Hi-MO3 隆基乐叶重磅发布双面半片PERC组件新品Hi-MO3。这是继2016、2017发布单晶PERC低衰减组件Hi-MO1、PERC双面组件Hi-MO2之后，隆基乐叶PERC电池
及组件封装技术的再次升级。 Hi-MO3通过采用半片技术，将电池片切半，使电池工作电流减半，有效降低组件的封装损失，组件功率平均提升5-10W。同时叠加双面技术，组件正面功率达到320W

超高效、高可靠性、高适用性等特点。其中单玻系列MBB多晶组件量产功率达305W，为全球量产效率最高的多晶常规版型组件，单晶组件功率也达315W，比应用领跑者满分功率还高出10W。并设立“太阳电池与
Q.ANTUM太阳能组件，Q.PEAK-G5系列产品亮相展会。韩华独有的Q.ANTUM技术与量产六栅线技术相结合，在传统PERC技术的基础上，整合了抗电势诱导衰减(Anti-PID)、抗光诱导衰减和

，其中Hi-MO1基于先进的单晶PERC技术以及低衰减技术(LIR-光致再生技术)，让光伏组件(60型)突破了300W，光伏行业跨时代地进入3.0时代;此外，Hi-MO2则在Hi-MO1的基础上，叠加
、不断创新的明证。晶科能源控股有限公司是世界领先的太阳能光伏企业，目前公司60P规格高效P型单晶组件功率突破370W，N型组件功率达到378.6W，再破世界纪录。未来，以晶科能源为代表的光伏企业，将持续

5月28日，2018年上海国际太阳能光伏展(SNEC)期间，隆基乐叶重磅发布双面半片PERC组件新品——Hi-MO3。这是继2016、2017发布单晶PERC低衰减组件Hi-MO。具有更高功率、更低
MBB多晶组件量产功率达305W，为全球量产效率最高的多晶常规版型组件，单晶组件功率也达315W，比应用领跑者满分功率还高出10W。天合光能展位号

在市场中获得更高的竞争能力。其认证考核范围涵盖了产品完整的生命周期、原材料检测以及组件年衰减率。专业人士表示，DNV GL的产品认证测试内容是破坏性测试的代表，包含了3倍IEC热循环、湿热
、紫外线照射、动态机械载荷、PID衰减以及热班测试，为光伏设备的购买者和光伏发电厂的投资者提供了独立且一致的可靠性能数据。协鑫集成以优异的产品可靠性测试表现再度获评顶级组件制造商，证明了其组件产品及现场

集中地面电站、分布式项目的经济性，同样也适用于衡量光伏扶贫电站，能获得更低LCOE的领跑者技术就是更适合扶贫项目的技术。在这方面，晋能科技也一直为各光伏扶贫项目供应符合领跑者标准的组件，以更低的衰减、更高
的转换效率、更高的组件功率保障扶贫电站获得更高、更稳定的收入。近日，多部委还联合印发了《智能光伏产业发展行动计划(2018-2020年)》。到2020年，智能光伏工厂建设成效显著，行业自动化

【核心提示】光伏发电工程项目中，买方应当重视对光伏组件功率衰减质量问题的证据收集和保全工作。首先，买方收到光伏组件时应当与卖方共同取样封存样品并签字确认;其次，光伏电站实际正式并网发电后，买方
应当在合同约定的功率衰减检验期间内或者合理期间内，按照合同约定的程序和方法进行检验，并将衰减率不符合合同约定的情形通知卖方;最后，因光伏组件功率衰减问题产生争议诉至法院时，买方应当及时申请质量鉴定，鉴定

越高。也正是因为这充沛的阳光，让许多的光伏电站业主们乐开了花，然而在持续高温笼罩中，往往会给光伏电站带来负面影响甚至安全隐患，持续的高温天气会给电站带来以下几点影响： 1、造成组件功率损失，降低
机器，元器件老化快，机器寿命短。 3、容易产生PID效应，造成组件失效 PID效应又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子

多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：晶硅组件：单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高
。薄膜组件：单块组件功率相对略低。但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。应用环境广泛，美观，环保。 3制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量

%) 更高的双面率(理论双面率可做到98%) 更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大) 更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象) 更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%，常规晶硅电池为
之际P-perc组件功率有望达到330W，而HIT组件的功率有望达到360W，仅比较正面功率的情况下，HIT组件单瓦封装成本比Perc组件低220÷330-220÷360=0.056，这就意味着未来

%) 更高的双面率(理论双面率可做到98%) 更大的降成本潜力(工艺步骤少、硅片薄片化潜力大) 更低的衰减(无P型组件常见的光致衰减现象) 更优秀的温度系数(温度系数为-0.258%，常规晶硅电池为
P-perc组件功率有望达到330W，而HIT组件的功率有望达到360W，仅比较正面功率的情况下，HIT组件单瓦封装成本比Perc组件低220330-220360=0.056，这就意味着未来HIT组件在单瓦

正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：晶硅组件：单块组件功率相对较高。同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。薄膜组件：单块
组件功率相对略低。但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。应用环境广泛，美观，环保。第三：制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少

导致电池片的填充因子、开路电压、短路电流降低，电池组件功率衰减。 2005年Sun power公司就发现晶硅N型电池在组件中施加正高压后存在PID现象。2008年，Ever green公司报道了P
1.1PID效应的发现和成因 PID效应(Potential Induced Degradation)全称为电势诱导衰减。PID直接危害就是大量电荷聚集在电池片表面，使电池表面钝化效果恶化，从而

狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。当热斑效应严重时，旁路二极管可能会被击穿，令组件烧毁。二、PID效应电位诱发衰减效应是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷

强制风冷的散热方式。而针对50KW以上大型的组串型逆变器，如选择风冷会产生较大噪音且产生较多功耗，所以在控制技术较先进的情况下建议采用自然冷却方式。超配能力：光伏系统由于组件功率的衰减、灰尘遮挡
不一致等问题时，而且随着电站寿命越长(组件出现衰减)MPPT发电量高的优势会越明显。而逆变器输入路数往往决定了一个光伏电站是否更加容易进行配板设计，更加节省线缆等辅助材料。最后，考察逆变器发电能力