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光吸收。尽管有些光吸收可能来自金属纳米微粒本身，我们认为Ag纳米点是有效地增强了a-Si:H膜的光吸收。吸收的增强可能与Ag纳米结构的等离子体增强光散射有关。入射光以a-Si:H光活性层的陷波波导模式被
共振散射，通过衬底上Ag纳米点与表面等离子体的相互作用，显著增加了光在a-Si:H层中的光学路径。总之，我们成功地用基于AAO模板淀积在玻璃衬底上制作了Ag纳米点阵列。玻璃上Ag纳米点阵列的存在提高了a-Si:H光活性层在长波长区的光吸收。

。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通金字塔制绒，硼扩散，等离子体辅助的原子层沉积(ALD)氧化铝与等离子体化学气相沉积(PECVD)氮化硅的叠层结构起到钝化和减反效果。背面
氧化层的制备。目前研究人员探索出一系列超薄氧化层的制备方法，如紫外臭氧氧化、等离子体辅助氧化(N2和O2混合气氛)、湿化学方法氧化(硝酸热氧化、盐酸热氧化)、高温热氧化(Ar与O2混合氛围下快速热氧化

射频激发受热的稀薄气体进行辉光放电形成等离子体，通过两片相对应的石墨片加相反的交变电压使等离子在极板间加速撞击气体，运动到硅片表面完成镀膜过程。三、镀膜的相关介绍 1、机台照片与工作
原理图 2、等离子体 所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态

等离子体，轰击制备材料制成的靶表面，把靶材中的粒子轰击出来，粒子沉积在衬底上制成薄膜。特别适用于制备生长熔点和蒸气压相差悬殊的元素所构成的化合物合金薄膜。磁控溅射就是在阴极表面电压位降区
13. 56MHz)，在溅射室内充有一定的惰性气体(如 Ar 气)，通过射频放电产生低温等离子体。 等离子体中产生的离子，在电场的作用下加速成能量很高的离子。这些高能离子撞击靶材表面，与靶材表面

等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池
如果将氮化硅作为前表面钝化膜，并将其折射率控制在2.0左右，既能起到很好的钝化作用又能起到较好的减反射效果。 3 表面钝化膜制备方法及动态 3.1等离子体增强化学气相沉积法 等离子体增强

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅
镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛地用于半导体器件。沉积参数的设计和工艺安排都会显著影响氮化硅薄膜产量和质量

，涉及到了厂房布局、自动化匹配、整体工艺优化重点。表：PERC电池工艺路线发展背面钝化工艺 ◎ 等离子体增强化学气相沉积法 等离子体增强化学气相沉积法是利用辉光放电的物理作用来激活粒子的
一种化学气相沉积反应，是集等离子体辉光放电与化学气相沉积于一体的薄膜沉积技术。在辉光放电所形成的等离子体场当中，由于电子和离子的质量相差悬殊，二者通过碰撞交换能量的过程比较缓慢，因此在等离子体内部没有