与传统的CVD制备石墨烯工艺相比,离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点,采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响,与气体的体积比、衬底厚度以及生长温度无关。 Ni ),并利用半导体产业中成熟的离子注入技术将碳离子注入到Ni/Cu体系中的Ni层中,通过控制注入碳离子的剂量(即4E15 atoms/cm2剂量对应单层石墨烯,8E15 atoms/cm2剂量对应双层石墨烯
与传统的CVD制备石墨烯工艺相比,离子注入技术具有低温掺杂、精确的能量和剂量控制和高均匀性等优点,采用离子注入法制备石墨烯单双层数仅受碳注入剂量的影响,与气体的体积比、衬底厚度以及生长温度无关。 Ni ),并利用半导体产业中成熟的离子注入技术将碳离子注入到Ni/Cu体系中的Ni层中,通过控制注入碳离子的剂量(即4E15 atoms/cm2剂量对应单层石墨烯,8E15 atoms/cm2剂量对应双层石墨烯