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最重要的原因就是在产业发展的顶层设计上把装备和工艺割裂开来，固化和制约了行业的发展，装备与工艺的脱节必然导致装备研发的失败。近几年来，48所通过在大生产运行中积极探索先进工艺，对扩散炉温度控制系统、推舟
控制系统、PECVD压力控制系统、清洗机自动补液系统、高温烧结炉网带自纠偏系统、丝网印刷机压力自适应系统等一系列关键技术进行了重要的改进，取得了重大技术突破。通过技术升级，扩散炉、PECVD设备、清洗机

，其中最重要的原因就是在产业发展的顶层设计上把装备和工艺割裂开来，固化和制约了行业的发展，装备与工艺的脱节必然导致装备研发的失败。近几年来，48所通过在大生产运行中积极探索先进工艺，对扩散炉温度控制系统
、推舟控制系统、PECVD压力控制系统、清洗机自动补液系统、高温烧结炉网带自纠偏系统、丝网印刷机压力自适应系统等一系列关键技术进行了重要的改进，取得了重大技术突破。通过技术升级，扩散炉、PECVD设备

提高自动化程度，建立智能的而不是粗放的太阳能电池生产线;今年将投入1.6亿元集中把MOCVD设备开发出来并延伸出自己的LED产业链和产业集群;IC设备领域要围绕离子注入机进一步提高水平，3年之内将投建
关键设备以及先进封装的关键设备;在太阳能光伏设备方面，应重点发展现在还制约整线配套能力的全自动丝网印刷系统、平板式PECVD、大尺寸多线切割机和多晶全自动制绒设备等;在LED制造设备方面，应重点发展材料

可以吸收更多太阳能。维利安公司称由于IBC太阳能电池效率更高，其单位面积的输出功率也相应更大，这种电池设计可以降低组件成本，减少系统开支，提高发电功率。维利安公司表示，使用传统工艺生产IBC电池成本较高
，这限制了IBC电池的大规模应用。维利安公司计划在这个研发项目中采用离子注入工艺，将IBC电池的生产步骤缩减30%到40%，从而降低其制造成本。维利安公司称，离子注入工艺还可以降低生产差异，简化操作

，从而可以吸收更多太阳能。维利安公司称由于IBC太阳能电池效率更高，其单位面积的输出功率也相应更大，这种电池设计可以降低组件成本，减少系统开支，提高发电功率。维利安公司表示，使用传统工艺生产IBC
电池成本较高，这限制了IBC电池的大规模应用。维利安公司计划在这个研发项目中采用离子注入工艺，将IBC电池的生产步骤缩减30%到40%，从而降低其制造成本。维利安公司称，离子注入工艺还可以降低生产差异

。 48所自1964年成立以来，一直致力于离子注入机、高温扩散/氧化系统、PECVD等微电子设备的研究，而光伏设备属于微电子设备中相对简单的分支。早在上世纪80年代末90年代初，48所就开始与18所
，技术力量雄厚、专业门类齐全，拥有设计、制造、总装、测试等系统平台。 48所现有技术人员近1000人，技术和专业门类齐全(包括63个学科)涵盖半导体、真空、物理、光学、电子、精密机械

的时代、环境、生态系统；将指统帅、领导者，也即公司的人才；法是规范、制度和凝聚人心的企业文化。以此来看应用材料此役失利，问题应该主要是出在了“道”和“天、地”上。中国有句古话：不熟不做。应用材料
。应用材料虽然经历了2005年10月退出电子束业务、2007年2月退出离子注入机业务，以及今天退出SunFab制造，但它及时投入晶体硅电池和LED等领域，也让人见识了其超强的行动力，这也许是它能够在半导体

。支撑业是集成电路乃至电子产业的基石半导体设备与材料产业被统称为集成电路的支撑业，集成电路产业建立在此支撑业基础之上，电子终端系统又建立在集成电路产业之上，因此作为支撑业的
。光伏产业的飞速发展给中国半导体支撑业带来新机遇经过多年的技术攻关和积累，中国半导体支撑业发展良好。如半导体前道工序用的离子注入机、刻蚀机、扩散炉、快速热处理设备、清洗机、涂胶显影

建厂的主要动机是为中国新兴的IC设计公司提供有竞争力的解决方案。“我们在消费电子特别是移动和无线产品方面有独特的工艺解决方案，而中国是最有潜力的移动和无线产品系统市场。”吴家义解释说。据了解，成立
。 2006年9月28日中芯国际与北方微电子和中科信在北京签署200mm离子注入机和刻蚀机的采购合同，本土设备业迈出了实质性的一步，开始真正踏上了产业化的轨道。然而，面对国外设备残酷的市场竞争，本土

，并提供其相关的技术服务。2004年收入达80亿美元并连续13年在半导体生产设备领域独占鳌头。公司所生产的主要设备可进行离子注入，快速热处理(RTP)，化学机械抛光(CMP)，晶片检测及计量。目前在
申请人改进薄膜太阳能电池互联的系统和方法 WO2007044555 2006-10-6 2007-4-19 APPLIED MATERIALS INC

半导体晶片装配设备，并提供其相关的技术服务。2004年收入达80亿美元并连续13年在半导体生产设备领域独占鳌头。公司所生产的主要设备可进行离子注入，快速热处理(RTP)，化学机械抛光(CMP)，晶片
检测及计量。目前在全球13个国家和地区拥有90多个芯片生产、销售和服务机构。表1 Applied Materials公司部分专利名称公开号申请日期公开日期申请人改进薄膜太阳能电池互联的系统和方法

首先在空间等离子体区形成,而后再扩散到衬底表面长大成多晶膜。对于SiH4:H2气体系统,有研究表明,在高氢掺杂的条件下,当用RFPECVD的方法沉积多晶硅薄膜时,必须采用衬底加热到600℃以上的办法
(MILC) 20世纪90年代初发现a-Si中加入一些金属如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉积在a-Si∶H上或离子注入到a-Si∶H薄膜的内部，能够降低a-Si向p-Si转变的相变能量，之后对Ni

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可