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是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池(BSF)技术、浅结结构、绒面技术、密栅金属化是这一
。化学腐蚀工艺是最成熟的产业化生产技术，也是行业内最广泛使用的技术，工艺门槛低、产量大;但绒面质量不易控制、不良率高，且减反射效果有限(腐蚀后的反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱

，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒
硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池（BSF）技术、浅结结构、绒面技术、密栅金属化是这一

，存在很大上升空间;多晶硅切片方面，随着下游配套制绒技术的解决，金刚线将逐步取代部分的多晶硅切片市场。华泰证券指出，从目前国际市场发展情况来看，超精细金刚石切割线对于传统超精细钢丝的替代，已逐渐形成
以上记者了解到，本项目拟生产的超精细金刚线主要应用于太阳能硅片、蓝宝石、砷化镓单晶材料等新型材料的切割。本项目的超精细金刚线产品以市场容量最大的90m、100m、115m为主，配套少量160m、250m

单多晶弱光响应能力比较制程差异在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池的制备工艺主要差别
在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或部分代替异丙醇（IPA），可实现更低的BOD、COD

是明显高于多晶的，这也反映在全年的发电量差别上面。图6 单多晶弱光响应能力比较制程差异在制程方面，单晶比多晶更环保、成本更低。电池的制程工艺包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、印刷、烧结等，单晶电池和多晶电池
的制备工艺主要差别在制绒环节，其余环节仅仅是控制标准的差异。单晶制绒采用碱溶液腐蚀，腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物，通过应用制绒辅助液代替或部分代替异丙醇（IPA），可实现更低的BOD、COD

采用普通金字塔制绒，硼扩散，ALD氧化铝加PECVD氮化硅钝叠层起到钝化和减反射效果。背面采用上述TOPCon技术，正反金属化采用蒸镀Ti/Pd/Ag叠层实现，电池开路电压达到690.4mV，填充因子
并未结晶为多晶硅，而是达到了类似薄膜硅电池中的微晶硅形态。但由于正面并未制绒，以及类似HIT电池中的正面ITO和微晶硅层的吸收，其短路电流只有31.6mA/cm2，效率17.3%。不过研究人员还特别

接近，当然在细节方面还是有所差异，图3是德国ISE研究所提出的一个p型硅MWT电池基本工艺流程。图3所示的MWT电池工艺流程，和常规电池相比，在清洗制绒前增加了一道激光打孔工艺，此外还采
线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16

的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度，所以还需进一步提纯制得单晶硅。目前大多使用直拉法制造的单晶硅，在石英坩埚中将多晶硅加热熔化，加入掺杂剂，用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的
进而提高其光电转换效率。1 实验本文选取电阻率在3.5-4.5cm范围内的高电阻率的单晶硅片210片，规格为156mm156mm，厚度为200m。首先在210片硅片表面利用碱腐蚀制备绒面结构，即在硅表面