关键词：湿法黑硅；MCCE；金刚线切割；电池效率；CTM
1、 引言
多晶电池效率的提升受制于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低表面反射率是提高多晶电池效率的关键。成本方面，单晶硅片受益于金刚线切割工艺的推广，成本大幅下降；而多晶硅片金刚线线切的推广受制于电池制绒工艺的匹配，具体讲，金刚线线切多晶硅片使用常规制绒工艺后，反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的湿法黑硅技术完美的解决以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。
制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法(Reactive Ion Etching，RIE)；④金属催化化学腐蚀法(metal Catalyzed Chemical Etching，MCCE)。目前，具有量产可能性的黑硅技术主要是RIE。但是，RIE黑硅由于需要昂贵的真空设备以及工艺均匀性较差等因素，尚未大规模进入量产。阿特斯历经3年的自主研发，攻克多道技术难关，于2014年12月成功将湿法黑硅技术推广到生产线，实现0.4%（绝对值）的电池效率增益，成为业界首家将该技术实现产业化的太阳能电池公司。如图1所示，这一技术大大加快了多晶电池效率的提升速度，使得多晶电池量产效率有望在2016年底提前达到19%。阿特斯开发的湿法黑硅成本优于RIE，反射率均匀性好，易于产线工艺升级。随着该技术的逐渐成熟，阿特斯的湿法黑硅技术势必将取代现有常规多晶制绒，为金刚线切割硅片的及时导入和多晶电池的降本增效提供原动力。
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