光伏咨询搜索-索比光伏网

玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应
腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的

有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
%~35%)，形状一般是球形或片状晶体，0.1~5.0m粒径，有研究称纳米级银粉与微米级银粉混合使用可降低烧结温度提高附着力。少量无机添加剂玻璃粉用于烧结过程中烧穿氮化硅减反膜，烧结后在银和硅之间形成

复合速率，提高硅片少子寿命。2 Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体
为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所

：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和镀铜金属化等技术。尤其是激光开槽埋栅电池技术第一次创造了单晶硅电池光电转换效率超过20%的世界纪录!在九十年代初期，在
。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池转换效率分档测试设备代替了当年的手工测试仪等。看到这些，Stuart讲：正荣，你干得很好!我

，Stuart从理论上和实验上对晶体硅埋栅电池做了系统的研究，采用激光开槽和机械沙轮开槽等技术开发了埋栅电池的制造工艺，包括：槽内的选择性扩散、表面二氧化硅的钝化、表面减反射膜、铝的吸杂、背电场钝化和
Stuart来无锡，他看到了现代版的电池生产线和15%多晶硅电池的转换效率感到异常的兴奋。PECVD 氮化硅取代了从前的APCVD 二氧化钛;连续自动化三道丝网印刷机取代了以往的手工印刷设备;自动化电池

能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass
frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施

及时挑出产线最常见的表面发白、色差、白点，其中表面发白主要由于氮化硅膜较厚导致，可通过调节膜沉积时间来调整；色差片主要由于气路堵塞、石英管漏气、微波故障等导致；白斑主要由于前道小黑点导致。反射率
产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而

磷硅玻璃的目的是为了去除硅片表面形成的磷硅玻璃。采用CT管式PECVD炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅
效率提升和成本降低。其印刷的细栅能够减少遮光损失，进一步优化副栅线的高宽比，因而广受关注。目前常规多晶硅太阳能电池工艺流程为:硅片检测、清洗制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝网印刷。丝网印刷

时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
硅片各20 片在Maia 2.1 设备中进行背钝化膜沉积，管式PECVD 沉积正面氮化硅减反膜，最后通过激光消融和丝印烧结制备成PERC 电池。采用D8-4 型反射率测试仪测试刻蚀后的硅片背面反射率