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包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理
在于利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180°的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜

包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。 氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于
利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜在制备的

。值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
电压，展现出了巨大的产业应用潜力。图1丨福建计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心认证报告截图图2丨(a)中科院宁波材料所TOPCon电池结构示意图;(b

PERC电池制造工艺爱旭科技PERC双面电池通过热氧化工艺，在硅片正面生成致密的SiOx薄膜层，结合高折射率的氮化硅减反膜，可以有效地阻隔金属离子，提高正面抗PID性能;针对更为棘手的背面PID问题
图2 PID测试前后组件正面(A)背面(B)曲线 Source: Luo W, Hacke P, Terwilliger K, et al. Elucidating potential

22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括
，具有更高的短路电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。这种前面无遮挡的太阳电池不仅

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
陷光结构，能够最大限度地利用入射光，减少光学损失，具有更高的短路电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面

数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻(Fig.3-5c)后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而
，最终提升电池片的光电转换效率。由附表3可知此电池片有很低的Voc和Isc，从Fig.3-6a、b可知铝背场出现异常，腐蚀掉铝层后发现(Fig.3-6c)电池片的背面的90%以上的区域含有氮化硅薄膜，由于

厚度和折射率的影响实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅

优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC设计。PERC概念的核心就在于为常规光伏电池增加全覆盖的背面钝化膜
，氧化硅(SiO2)、氮氧化硅等也可作为背面钝化材料。此外，为了完全满足背面钝化条件，还需要在氧化铝表面覆一层氮化硅(SiNx)，以保护背部钝化膜，并保证电池背面的光学性能。故PERC电池背面钝化多

钝化膜的优势，主要体现在三个方面。氧化铝具有较高的固定负电荷密度Q10E13/cm3，可以得到优异的场钝化效果;氮化硅膜富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化;氧化铝薄膜带隙
;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面

frit），在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜，此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触，铅的作用是银-铅-硅共熔而降低银的熔点。浆料可能造成的安全隐患及急救措施
能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass

时间为5 min;处理后以去离子水清洗并烘干;在硅片背面沉积氮化硅薄膜作为制绒掩膜，沉积设备为Meyer Burger 公司的板式PECVD，沉积压强为0.15 mbar，沉积温度为450 ℃，微波功率
氧化铝/ 氮化硅叠层钝化，利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化，背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率，也可增加电池

优化氮化硅覆盖层，将抛光深度从1~2m提高到3~4m，并将发射极薄层电阻从约78+/-3ohms/sq提高到95+/-5ohms/sq，得到了21.1%的最佳PERC电池效率。理想能源表示，其客户
研究认为，单晶PERC电池的衰减高于单晶BSF电池，其原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现为与温度相关的LeTID，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中

模式，打造高效专业的国际化科技团队。荣获国家火炬计划项目重点高新技术企业，创建了江苏省光伏薄膜材料工程技术研究中心、CNAS、TUV NORD双认可实验室，公司已获专利107项，其中发明专利52项
中来双面电池技术 A. 核心工艺技术中来双面电池使用n型硅片，正面硼扩散形成p+层，背面离子注入磷扩撒形成n+层，双面沉积氮化硅减反膜，最后印刷银电极，核心工艺技术为：扩散工艺(源的选择

。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与n+层结合作为前表面电场，并形成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面，并通过在氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区
的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡

太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率P型硅通过良好的背钝化，转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积（PECVD）的硅氧膜
过约400℃的退火，低电阻率（~1cm）P型硅片存在Al薄膜和热生长的SiO2，这样轻掺杂背表面可以实现非常低的表面复合速率（SRVs）。另外，对于近能带隙光子，堆叠在硅片背面的SiO2/Al充当良好

项目，高纯度氮化硅、正极材料及薄膜项目，碳化硅晶片及外延片项目，光纤预制棒项目。牵头单位：省经济和信息化委责任单位：西宁市政府、海东市政府，省发展改革委、省科技厅、省财政厅、省环境保护厅，西宁
、海西三大综合物流园区建设，完善公路、铁路、航空物流设施，加快专业物流中心建设。实施青海曹家堡保税物流中心（B型及综合配套建设项目），国际地毯销售保税基地项目，省物产集团朝阳物流园区改扩建工程，城东区

，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区
有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整，一般可调

扩散的，其磷源片种类很多，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的
硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整，一般可调范围在1.9～2.5之间