光伏咨询搜索-索比光伏网

模块：玻璃每侧的最小厚度应为2mm。应使用对称结构的层压机层压，即两侧的加热板。玻璃的透射率应大于90% 薄膜模块：玻璃/玻璃模块每侧的最小厚度应为2mm。应使用对称结构的层压机层压，即两侧的加热
)和良好的粘合强度。不允许使用封边胶带进行密封。模块框架应由阳极氧化铝制成。应提供接地装置，以将其连接至接地网。阳极氧化厚度不得小于15微米。用于接线盒的材料应具有抗紫外线性能，以避免在模块

美国科学家研究了在碲化镉薄膜电池的背面添加一层铜-氧化铝，发现对载流子寿命和效率有积极影响，通过进一步的研究，这一发现可能为碲化镉太阳能电池的更高效率开辟新的途径。碲化镉目前在太阳能组件市场上的
份额约为5%，作为一种薄膜光伏材料已得到广泛认可，这在很大程度上要归功于美国光伏组件制造商First solar。虽然效率比现在的晶硅组件低，但这种材料在制造成本上具有竞争力，而且还有很大的空间来

1. 激光开槽作用激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 2. 皮秒激光VS纳秒
较大的热损失，导致电流效率降低。如激光开孔面积过大，背面氧化铝的完整性会受到破坏，钝化层无法有效发挥降低表面复合速率的作用，导致电池的效率无法有效提升。技术要点： 1. 激光损伤

文章，希望对您有所收获。 PERC发展现状 PERC电池全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。与常规电池相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。 HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身

with Intrinsic Thin Layer, HJT)全称本征薄膜异质结，其通过在P-N结之间插入本征非晶硅层进行表面钝化来提高转化效率。基于HJT的诸多优点，其有可能会成为下一代主流技术：1)传统HJT理论
手段主要包括两种： ►减少界面缺陷态密度，往往通过化学方式实现：通常的方法是在表面沉积钝化膜或者H原子修复来降低界面的悬挂键，比如在PERC的背面沉积氧化铝，就是典型的化学钝化方式。 ►减少

薄膜CVD设备产业化项目，拟投资金额99,877.18万元，主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置，并经过产业化验证后，形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地
。该项目计划建设期为2年，完全达产后每年新增20GW PERC+高效新型电池湿法设备，新增20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。另外，捷佳伟创拟投资

半导体薄膜CVD设备产业化项目)，主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置，形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地。该项目建设期为2年，达产后每年新增20GW
PERC+高效新型电池湿法设备，新增20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。此外，公司拟投资33,438.34万元，拟在深圳市坪山区新建二合一透明导电膜设备

湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备产业化项目)，主要建设内容包括生产场地建设、生产设备购置安装和软件购置，并经过产业化验证后，形成新型电池湿法设备及单层载板式非晶半导体薄膜CVD设备生产基地
。该项目计划建设期为 2 年，完全达产后每年新增 20GW Perc+高效新型电池湿法设备，新增 20GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD。公司拟投资

增长60.14%、20.31%。公司持续跟进湿法黑硅(MCCE)、背面钝化(PERC)、N型双面、非晶硅/晶体硅异质结(HIT)等高效晶硅电池工艺、管式PECVD镀膜工艺、氧化铝二合一工艺等研发，公司PERC+
设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD、新增50套HJT电池镀膜设备(PAR)。上述超高效新型电池设备产业化项目合计耗资约16亿元左右，捷佳伟创称将提升公司在高效新型晶体硅太阳能电池设备尤其在

白压花玻璃一般用于晶硅光伏组件，浮法生产的超白浮法玻璃一般用于薄膜光伏组件。由于光伏发电当前以晶硅路线为绝对主流，因此与之配套的超白压花玻璃亦为光伏玻璃的主流产品。低铁高透
玻璃、无机盐、氧化铝、玻璃、洗涤用品等行业，其中玻璃消耗纯碱占比达 55%，对纯碱的价格影响最大，因此总体上纯碱价格走势与玻璃需求有一定相关性。窑炉和钢化炉为主

的一种，其具备成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、低温沉积等优点。2014年起，理想晶延开始布局高效光伏背钝化设备开发，采用国际先进的ALD(原子层沉积)技术，自主研发了氧化铝背钝化ALD设备
。《科创板日报》记者了解到，增加背钝化层，可以降低背表面符合，提高背内面反射率，而常用的介质钝化材料除了氧化铝外，还包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化铝薄膜生长及工艺率先取得突破。据了解，至

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准

近日，江苏微导纳米科技股份有限公司宣布其研发的全球首台适用于TOPCon技术的ALD设备正式进入量产阶段。微导研发的祝融系列(ZR4000X2)薄膜沉积设备平台，用于Topcon电池生产
的磷扩散机台)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制

江苏微导纳米科技股份有限公司研发的全球首台适用于TOPCon技术的ALD设备正式进入量产阶段。微导研发的祝融系列(ZR4000X2)薄膜沉积设备平台，用于Topcon电池生产技术，产品已交用户使用
)，就可以完成Topcon电池正面氧化铝/氮化硅 ,背面遂穿氧化层/多晶硅与氮化硅的钝化。体现了该设备优异的整合能力与生产的可调度性。固定资产投入具备竞争力，同时工艺路线也可简化与控制。该设备平台

perc+se 产线兼容，现有产线可升级改造至 TopCon产能。TopCon 生产流程分为 9 步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝
大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。三、异质结：技术逐步成熟，龙头积极布局异质结(本征薄膜异质结，亦成为 HJT/SHJ)，通常以 n 型晶体硅作衬底，宽带隙的

太阳能电池中试线和产业化运营，预计随着后续设备国产化的推进，异质结技术有望获得突破，渗透率有望大幅提升。 2019年8月，捷佳伟创HJT单晶制绒清洗设备研发、透光导电薄膜设备(RPD设备)研发
、金属电极丝网印刷线研发已基本完成，进入工艺验证阶段，HJT整线生产设备国产化正在积极推进中;背钝化技术氧化铝镀膜设备研发已形成批量生产销售;TOPCon电池工艺技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。迈为股份

氢原子向电池内部的扩散，从而减少LeTID衰减。而PECVD氧化铝薄膜由于存在较多缺陷和针孔，无法阻挡氢原子向电池内部的扩散，因而无法避免由SiNx:H造成的LeTID衰减。这个发现在组件产品的长期稳定性
，进一步降低了氧化铝工序的生产成本。面对高效PERC电池市场的快速发展和逐渐激烈的竞争，最终组件产品的可靠性和产品质保期成为一个业界关注的一部分。效率衰减一直以来是单晶PERC电池产品最为关注