光伏咨询搜索-索比光伏网

，2017年Q1电池效率达到20%，2017年Q4目标20.5%。当前正重点研发多晶双面PERC电池、氢钝化工艺及高效低成本的金属化工艺，并计划在2018年Q4将电池效率推到21%的量产效率目标。多晶单面
优势，再配合金刚线多晶硅片的绒面解决方案、结合多晶PERC达到高效低成本的目的，辅以高效金属化、氢钝化、高效钝化及减反工艺，进一步提升效率，叠加MBB、金刚等高效组件技术，实现光伏组件产品性能不断突破。

背钝化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供保障。双面制绒双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率
提升1.08%，双面率达81.2%。叠层背减反膜双面电池背面氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。背面网板设计、浆料选择

保障。双面制绒双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率提升1.08%，双面率达81.2%。叠层背减反膜双面电池背面
氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。背面网板设计、浆料选择双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商

改良西门子法，单纯从技术角度，近些年最为显著的变化就是冷氢化技术的应用，但即便如此，凭借着国内企业对工艺理解的提升、设备国产化、和低电价地区的布局而引发了多轮产业洗礼。六九硅业是拖垮英利太阳能的
时间Perc新产能的投资成本下滑到只有2017年的39.8%.举一个直观的例子：在2017年要想完成1GW背钝化perc设备的购置需要花费2亿元，使用一年按直线折旧法后残值依旧高达1.8亿元。而今年同等产能

太阳能大军为每个国家的环境做出了巨大贡献，正在拯救世界。阿特斯已和新南威尔士大学签署合作协议，开展先进氢钝化技术的合作。新南威尔士大学光伏和可再生能源工程学院张子文教授说，阿特斯表示他们
很少进行这种类型的合作，所以这对他们来说是一个里程碑。张教授继续说道，开展合作的先进氢钝化技术解决了单晶和多晶太阳能电池中的光衰问题。我们新南威尔士大学拥有由自己专门开发的产线在线设备，用于在单晶硅

等方面已形成较强的竞争力，在冷氢化、大型节能精馏、高效还原、尾气回收、三氯氢硅合成、反歧化等多晶硅核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项成果，并处于国内先进水平。截止报告期末，永祥板块累计申请专利102
打造了以行业内权威专家为主体的研发团队，并在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、多晶黑硅工艺、双面电池、多主栅技术、异质结电池技术、高效组件等核心技术领域形成了具有自主知识产权的多项技术成果。报告期

太阳能电池应运而生。异质结电池的发展是从20世纪60年代开始的，1968年实现晶硅与非晶硅结合的异质结器件，1974年首次实现氢化非晶硅，减少非晶硅的缺陷，1983年异质结电池第一次制备成功，效率为12.3
%，面积仅0.25%。1991年日本三洋公司首次将本征非晶硅引入异质结电池结构，实现了优良的界面钝化，制备出效率为18.1%的电池，并将该结构的电池命名为异质结电池。异质结电池技术经过几十年的发展，电池

。高效率 HIT电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构，改善了对硅片表面的钝化效果，大降低了表面复合损失，提高了电池效率。据报道，Panasonic研发出的HIT电池实验室效率已达到25.6
工艺技术的核心，要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前，国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜，其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压

%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型双面则与PERC双面不同，基底掺磷，没有硼氧对形成复合中心的损失，使得电池几乎无光致衰减。 (3)弱光性良好。相比P型单晶，N型单晶对弱光
、性能上的优势，但目前市场主流却仍是PERC技术，归根结底在于PERC更低的成本带来的价格优势。据了解，PERC双面组件只需基于现有产线增加沉积背钝化层和背面激光开槽两道工序，几乎不增加额外成本。因此未来

威尔士大学合作开发氢钝化技术，能将多晶PERC电池片光致衰减比率降为零。 2017年7月，上海尚德成功开发P型双面PERC电池和组件产品。双面PERC电池正面电池转换效率达到21.4%以上，同时背面
相比，PERC电池的优势主要有两个方面：(1)内背反射增强，降低长波的光学损失;(2)高质量的背面钝化，这使得PERC电池的开路电压(Voc)和短路电流(Isc)较之常规电池有大幅提升，从而电池转化效率

，在基底中捕获电子形成复合中心，从而导致3~4%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型双面则与PERC双面不同，基底掺磷，没有硼氧对形成复合中心的损失，使得电池几乎无光
更低的成本带来的价格优势。据了解，PERC双面组件只需基于现有产线增加沉积背钝化层和背面激光开槽两道工序，几乎不增加额外成本。因此未来N型双面技术如何实现有效降本，将成为其提升市场竞争力、争夺市场份额

劣化、H2O会加剧硅表面的腐蚀。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附
、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗