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/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率的
有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成

扩散深度、减反膜相同，因而推断此异常是电池清洗过程残留杂质或背场钝化的问题。图1整个波段没有明显差异，只是中波段正常区域比黑斑区域量子效率略高，工艺过程不是问题，问题主要是整个生产过程杂质颗粒对电池
自发辐射。通过滤波片的作用及底片的曝光程度来了解在自发辐射中本征跃迁的情况，通过少子寿命、密度与光强间的关系，从底片的曝光程度，来判断硅片中是否存在缺陷。由于晶硅太阳电池中少子的扩散长度远远大于势垒

摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
短路电流,从而有效的提高了多晶太阳电池的光电转换效率。氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高

导读：太阳能背膜由三层高分子薄膜组合生产而成，中间层是厚度为150-350m的PET薄膜，外面两层选用25m含氟薄膜，PET薄膜不易伸缩，具有良好的耐高温性和极好的电绝缘性能。含氟薄膜层结构性
能稳定，具有良好的抗紫外线、抗湿热和耐老化性能。太阳能背膜由三层高分子薄膜组合生产而成，中间层是厚度为150-350m的PET薄膜，外面两层选用25m含氟薄膜，PET薄膜不易伸缩，具有良好的耐高温性和

∶H/c-Si异质结太阳电池的载流子转移性能，模拟出理论极限效率为27.07%。上述的研究都认为，最佳的背场能够改善载流子的输运，降低载流子在PN结中的损失，并指出载流子迁移性能是提高SHJ电池转化效率
。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量

。这就为太阳能电池表面钝化技术提出了挑战，为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率，对晶体硅太阳电池表面钝化技术的研究是必不可少的。因此，无论是提高太阳能电池的转换效率，还是降低太阳能电池的
气体流量比例的不同，SiNx薄膜的折射率可在1.8～3.3的范围内调整，实际生产中可通过调整气体流量，形成匹配的膜厚和折射率，将反射率降至最低，增加太阳能电池对光的吸收利用。优良的钝化和光学性质使

以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及
。 2017年项目：节能环保LOW-E中空玻璃，镀膜中空玻璃。东方日升 2018年上半年项目：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅

：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM
技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压

摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响。 0 引言为了
进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低生产成本，此前已有诸多研究，20世纪80年代，澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池，打破了当时晶体硅太阳电池转换效率的记录，也是目前

，开路电压会减小。短路电流由图2 可知，在0.2～4 cm 的电阻率范围内，随着硅片电阻率的增加，相应太阳电池的短路电流会随之增加，常规铝背场电池相比PERC 电池，增加趋势更大。这是
FF 随之减小。转换效率由图2 可知，在0.2～4 cm 的电阻率范围内，随着硅片电阻率的增加，相应常规铝背场太阳电池的转换效率逐渐增大，实验组4( 电阻率3～4 cm) 的转换效率

光伏组件3类。 1)单晶n型双面光伏组件。图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池，其采用硼扩散掺杂制备发射极，磷扩散掺杂制备n+背场。由于n+磷背场代替常规p型硅
太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场，背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构，使电池前后表面都能吸收光线，实现双面发电。同时，组件背板采用2.5mm厚的透明玻璃使背面光线能进入电池片。单晶n型双面

，预计会在2020年前后实现平价上网。然而目前其居高不下的成本也让很多企业一直处于观望的态势。如何在保证高效率的同时降低太阳电池制造成本已成为业内研究机构和企业重点开展的研究课题。在异质结电池制备的
转换效率得到很大提升。松下公司2013年收购三洋公司后，公布的实验室效率达到24.7%，后又结合背接触技术电池效率达到25.6%。2016年最新报道，日本NEDO研发机构与日本KANEKO公司联手

，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。高稳定性 HIT太阳电池Voc越高

1、PERC电池技术的转化效率光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。 2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。与常规电池
黑硅技术，产业化效率可达到20%以上。目前市场主流太阳电池效率水平如下图所示。图1：2017年市场主流晶硅太阳电池效率水平 2、主流厂商PERC电池效率进展 1)晶澳太阳能晶澳是我国最早